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模拟电子技术基础;*;*; ;作业;;1.1 半导体的基本知识
;;;;四、本征浓度;*;;;;;一、PN 结的形成; 由于载流子的浓度差，P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散。这种由于浓度差引起的运动称为扩散运动。; 由空间电荷区产生的、方向为N区指向P区的内建电场阻碍了扩散运动，同时使少子产生漂移运动，即N区的空穴向P区漂移， P区的电子向N区漂移。;在一定的条件下，多子扩散与少子漂移达到动态平衡，空间电荷区的宽度基本上稳定下来。 ;;内电场方向;;PN结的单向导电性;2、PN结的伏安特性及其表达式;温度对反向电流的影响：;PN结的正向特性受温度的影响;3、PN结的击穿特性;齐纳击穿：在掺杂浓度高的情况下，耗尽层很窄，不大的反向电压可以在耗尽层产生很强的电场（E=U/d，其中U为两电场间的电势差，d为两点间沿电场方向的距离）??直接破坏共价键，形成电子-空穴对，导致电流急剧增加。
硅材料一般在4V以下的击穿称为齐纳击穿。;;;PN结电容; PN结中空间电荷的数量随外加电压变化所形
成的电容称为势垒电容，与平板电容器相同：; 外加电压改变时引起扩散区积累的电荷量改变，这就形成了电容效应，其对应的电容称为“扩散电容”。不对称PN结的扩散电容：;;;U / V;二、反向特性;材料;1.2.3 二极管的主要参数;1.2.3 二极管的主要参数;1.2.4 半导体二极管的型号及选择;1.2.4 半导体二极管的型号及选择;1.2.5二极管的等效电路;1.2.5二极管的等效电路;对微小变化的信号，可以用伏安特性在Q点（静态工作点，quiescent）的切线近似表示实际的这段曲线。;*;1.2.6半导体二极管应用举例;1、串联限幅电路—推广到整流电路;1.2.6半导体二极管应用举例;1.2.6半导体二极管应用举例;*;VS; 2、稳压管的主要参数;;*; ;其他类型二极管 ;本章小结;;
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