第2章_扩散技巧.pptVIP

第 2 章 扩 散;掺杂可形成 PN 结、双极晶体管的基区、发射区、隔离区和隐埋区、MOS 晶体管的源区、漏区和阱区 ，以及扩散电阻、互连引线、多晶硅电极等。; 在硅中掺入少量 Ⅲ 族元素可获得 P 型半导体，掺入少量Ⅴ族元素可获得 N 型半导体。掺杂的浓度范围为 1014 ~ 1021 cm-3，而硅的原子密度是 5 ×1022 cm-3，所以掺杂浓度为 1017 cm-3 时，相当于在硅中仅掺入了百万分之几的杂质。;1.扩散工艺;硅器件生产中的两步扩散工艺 ;扩散方式 气态源扩散：气态掺杂剂穿过支管，通过压力罐被计量导入淀积炉管。 液态源扩散：利用保护气体携带杂质蒸汽进入反应室，在高温下分解并与硅表面发生反应，产生杂质原子，杂质原子向硅内部扩散。 固态源扩散：固态源在高温下汽化、活化后与硅表面反应，杂质分子进入硅表面并向内部扩散。;扩散工艺主要参数;;;;;二、结深的测量; 2、磨槽染色法 适用于测量浅结。; 3、光干涉法;断面SEM法测结深;1、四探针法测薄层电阻; 无穷大样品 有限尺寸样品;2、范德堡法测薄层电阻;质量分析;工艺控制; 3.1 一维费克扩散方程; 在一维情况下，单位时间内垂直扩散通过单位面积的粒子数，即扩散粒子的流密度 J ( x , t ) ，与粒子的浓度梯度成正比，即 费克第一定律，; 将费克第一定律; 1、恒定表面浓度扩散; 恒定表面浓度扩散的主要特点 ; 扩散开始时，表面放入一定量的杂质源，而在以后的扩散过程中不再有杂质加入。假定扩散开始时硅片表面极薄一层内单位面积的杂质总量为 QT ，杂质的扩散长度远大于该层厚度，则杂质的初始分布可取为 ? 函数，扩散方程的初始条件和边界条件为 ; 恒定杂质总量扩散的主要特点 ; 第一步恒定表面浓度扩散，淀积到硅片上的杂质总量为 ; 还可求出再分布后的结深。设衬底杂质浓度为 NB ，;掺杂分布控制：; 前面得出的扩散后的杂质分布是采用理想化假设的结果，而实际分布与理论分布之间存在着一定的差异，主要有：;　　2、杂质浓度对扩散系数的影响 前面的讨论假定扩散系数与杂质浓度无关。实际上只有当杂质浓度比扩散温度下的本征载流子浓度 ni(T) 低时，才可认为扩散系数与掺杂浓度无关。在高掺杂浓度下各种空位增多，扩散系数应为各种电荷态空位的扩散系数的总和。 ; 　　3 、电场效应 高温扩散时，掺入到硅中的杂质一般处于电离状态，电离的施主和电子，或电离的受主与空穴将同时向低浓度区扩散。因电子空穴的运动速度比电离杂质快得多，因而在硅中将产生空间电荷区，建立一个 自建场，使电离杂质产生一个与扩散方向相同的漂移运动，从而 加速了杂质的扩散 。 ; 4、发射区陷落效应 在基区宽度极薄的 NPN 晶体管中，若发射区扩散磷，则发射区正下方的内基区要比外基区深，这种现象称为发射区陷落效应。为避免此效应的发生，发射区可采用砷扩散，或采用多晶硅发射极。; 3.4 常见杂质的扩散系数; 砷：浓度在 1020cm-3 以下时，砷的扩散系数中以 D0 和 D- 为主。浓度超过 1020cm-3 后，有些原子也将处于填隙位置。 砷在硅中的扩散系数较低，因此常用于浅结扩散中，例如亚微米 NMOS 的源漏区扩散和微波双极晶体管的发射区扩散 。此外，高浓度下填隙原子的增多使扩散分布的顶部变得平坦，高浓度下砷扩散的电场增强效应很明显，这又使得扩散分布的前沿非常陡。结果使砷扩散的分布呈矩形的所谓 箱形分布，这也有利于浅结扩散。; 磷：磷的扩散系数比砷高得多，而且扩散分布比较平缓，因此不利于形成浅结。磷扩散可用于较大尺寸 NMOS 的源漏区扩散和低频双极晶体管的发射区扩散；在大功率 MOS 器件中对漏区进行磷扩散可降低漏附近的电场强度；在大规模集成电路中，磷扩散主要用于阱区和隔离区。 ;二、结深的测量; 3、光干涉法; 2、磨槽染色法 适用于测量浅结。; 三、杂质浓度分布的测量; 扩展电阻法; 3.6 SiO2中的扩散; SiO2 掩蔽层厚度的确定 杂质在 SiO2 层中的分布大部分按余误差函数分布 ; 大规模集成电路中的 MOSFET 一般采用 硅栅自对准结构。SiO2 掩蔽层厚度的确定在对源、漏区和多晶硅栅