第4讲晶体三极管(9-12)技巧.ppt

第四讲 晶体三极管;第四讲 晶体三极管; 一、晶体管的结构和符号;BJT的结构简介;双极型半导体三极管的结构; 结构特点：（内部条件）;;三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄, 集电区面积大。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。;二、晶体管的放大原理;以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 ;电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流;三、晶体管的共射输入特性和输出特性;vCE = 0V;(3) 输入特性曲线的三个部分;2. 输出特性;根据;饱和区：iC明显受vCE控制的区???，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。;3.1.4 BJT的主要参数;(2) 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=const; (3) 共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE ; (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO ;(1) 集电极最大允许电流ICM;(3) 反向击穿电压; 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区;晶体管的三个工作区域;四、温度对晶体管特性的影响;五、主要参数