第2章三极管及放大电路技巧.ppt

;2.1 半导体三极管;图2.1 三极管的结构及符号 ; 三极管内部结构分为发射区、基区和集电区， 相应的引出电极分别为发射极e、基极b和集电极c。 发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电 区和基区之间的PN结称为集电结。 电路符号中，发射极的箭头方向表示三极管在 正常工作时发射极电流的实际方向。 ; 三极管在制作时，其内部结构特点是： (1 ) 发射区掺杂浓度高； (2 ) 基区很薄，且掺杂浓度低； (3 ) 集电结面积大于发射结面积。 以上特点是三极管实现放大作用的内部条件。 ; 三极管按其所用半导体材料不同，分为硅管和锗管； 按用途不同，分为放大管、开关管和功率管； 按工作频率不同，分为低频管和高频管； 按耗散功率大小不同，分为小功率管和大功率管等。 一般硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。; 2.1.2 三极管的电流放大作用 1.三极管放大的条件 三极管实现电流放大的外部偏置条件：发射结正偏，集电结反偏，此时，各电极电位之间的关系是： NPN型 UC＞UB＞UE PNP型 UC＜UB＜UE 如图2.2所示。 ;; 2.电流分配关系 图2.3是NPN管放大实验电路。; 电路中的三极管的偏置满足发射结正偏，集电结反偏。 发射结正偏，可使发射区的多子（自由电子）通过PN结注入到基区，以形成基极电流IB； 集电结反偏，使集电极电位高于基极电位，于是在集电结上有一个较强的电场，把由发射区注入到基区的自由电子大部分拉到集电区，形成集电极电流IC。 调节Rb，改变IB的大小，得出相应的IC和IE的数据，如表2.1所示。;; 通常称 为共射极直流电流放大系数，因而有： ; 3.放大作用的实质 由上述实验结果可知，当IB有一微小变化时，能引起IC较大的变化，这种现象称为三极管的电流放大作用。 电流放大作用的实质是通过改变基极电流IB的大小，达到控制IC的目的，而并不是真正把微小电流放大了，因此称三极管为电流控制型器件。 ; 例2.1 测得工作在放??状态的三极管两个电极的电流如图2.4所示。 （1）求另一个电极的电流，并在图中标出实际方向。 （2）标出e、b、c极，并判断出该管是NPN型还 是PNP型管。 （3）估算其β值。;图2.4 例2.1图; 解： （1）图2.4(a)中①、②管脚的电流均为流入，则③管脚的电流必为流出，且大小为0.1+4=4.1(mA)，如图2.4(b)所示。 （2）由于③管脚的电流最大，①管脚的电流最小，因此①管脚为b极，②管脚为c极，③管脚为e极。又由于③管脚的发射极电流为流出，故该管为NPN型管。 （3）由于IB = 0.1mA，IC = 4mA，故：; 2.1.3 三极管的特性曲线 1.输入特性曲线 三极管的输入特性曲线如图2.5所示。; 由图2.5所示的输入特性曲线可以看出： 曲线是非线性的，也存在一段死区，当外加UBE电压小于死区电压时，三极管不能导通，处于 截止状态。 三极管正常工作时，UBE变化不大，对于硅管，UBE约为0.7V左右，锗管的约为0.3V左右。; 2.输出特性曲线 当IB取值不同时，就有一条不同的输出特性曲线，如图2.6所示。; 3.三极管的三个工作区 (1) 三极管输出特性曲线中，IB=0的输出特性曲线以下，横轴以上的区域称为截止区。其特点是：发射结和集电结均为反偏，各电极电流很小，相当于一个断开的开关。; (3) 输出特性曲线中，UCE≤UBE的区域，即曲线的上升段组成的区域称为饱和区。饱和区的特点是：发射结和集电结均为正偏。 饱和时的UCE称为饱和压降，用UCES表示，UCES很小，一般约为0.3V。工作在此区的三极管相当于一个闭合的开关，没有电流放大作用。; 2.1.4 三极管的主要参数 1.电