第2章双极型晶体管及放大电路基础技巧.ppt

第二章 双极型晶体管及放大电路基础;2.1.1 晶体管的结构和类型 2.1.2 晶体管的电流分配和放大作用 2.1.3 晶体管的伏安特性曲线 2.1.4 晶体管的主要参数;;B; 结构特点：;B;;发射结;二、 电流放大原理;B;二、晶体管的放大原理; 发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形成的电流为IEN。与PN结中的情况相同。 从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流为IEP。这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。; 另外因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。于是可得如下电流关系式:;电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 ;; 共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图所示。; 简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和uBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除uCE的影响，在讨论输入特性曲线时，应使uCE=const(常数)。; 共发射极接法的输入特性曲线见图02.05。其 中uCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。 当uCE≥1V时， uCB= uCE - uBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致， 右移不明显说明内部反馈 很小。输入特性曲线的分 区：①死区 ②非线性区 ③线性区 图02.05 共射接法输入特性曲线 ; (2)输出特性曲线; 当uCE增加到使集电结反偏电压较大时，如 uCE ≥1 V uBE ≥0.7 V运动到集电结的电子基本上都可以被集电区收集，此后uCE再增加，电流也没有明显的增加，特性曲线进 入与uCE轴基本平行的 区域 (这与输入特性曲 线随uCE增大而右移的 原因是一致的) 。 iC大小与iB有关。 图 共发射极接法输出特性曲线 ; 输出特性曲线可以分为三个区域: ;输出特性;晶体管的三个工作区域;; 在放大区基本不变。在共发射极输出特性 曲线上，通过垂直于X轴的直线(uCE=const)来求 取IC / IB ，如图1所示。在IC较小时和IC较大 时， 会有所减小，这一关系见图2。; ②共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE 显然 与 之间有如下关系: = IC/IE= IB/?1+ ?IB= /?1+ ?; (2)极间反向电流 ①集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是 Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于 集电结的反向饱和电流。 ; 图 ICEO在输出特性曲线上的位置;⒉　交流参数 (1)交流电流放大系数 ①共发射极交流电流放大系数? ?=?IC/?IB?uCE=const; ②共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? uCB=const 当ICBO和ICEO很小时， ≈?、 ≈?，可以不加区分。;3.极限参数 (1)集电极最大允许电流ICM;(2)集电极最大允许功率损耗PCM;（3）反向击穿电压; 由PCM、 ICM和U(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图。 图 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 ; ;例： ?=50， EC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当EB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？;IC;2.2 放大电路的基本概念;2.2.2 放大电路的主要技术指标;2.输入电阻;3．输