硅集成电路工艺基础6讲课.ppt

第六章 化学气相沉积 ;CVD的应用;6.1、CVD模型 6.2、化学气相沉积系统 6.3、CVD多晶硅的特性和沉积方法 6.4、CVD二氧化硅的特性和沉积方法 6.5、CVD氮化硅的特性和沉积方法 6.6、金属的化学气相沉积;6.1 CVD模型;(1) 在淀积温度下，反应剂必须具备足够高的蒸气压。 (2) 淀积物本身必须具有足够低的蒸气压，这样才能保证在整个淀积过程中，薄膜能够始终留在衬底表面上。 (3) 除淀积物外，反应的其他产物必须是挥发性的。化学反应的气态副产物不能进入薄膜中。（尽管在一些情况下是不可避免的） (4) 淀积温度必须足够低以避免对先前工艺产生影响。 (5) 化学反应应该发生在被加热的衬底表面，如果在气相中发生化学反应，将导致过早核化，降低薄膜的附着性和密度、增加薄膜的缺陷、降低沉积速率、浪费反应气体等。;上节课内容小结;上节课内容小结;上节课内容小结;取决于入射离子的能量。;上节课内容小结;上节课内容小结;化学气相淀积：把含有构成薄膜元素的气态反应剂或者液态反应剂的蒸气，以合理的流速引入反应室，在衬底表面发生化学反应并在衬底上淀积薄膜。;6.1.2 边界层理论; 在靠近硅片表面附近，存在一个气流速度受到扰动的薄层，在垂直气流方向存在很大的速度梯度。 因发生化学反应，紧靠硅片表面的反应剂浓度降低，沿垂直气流方向还存在反应剂的浓度梯度，反应剂将以扩散