光电_05热辐射探测器件技术报告.ppt

第五章 热辐射探测器件;工作原理：当物体吸收辐射后，温度便会升高，伴随产生某种属性的变化，如体积膨胀、电阻率变化或产生电流、电动势等，通过测量这些性能参数的变化，计算获得辐射的大小。 热探测器的性能计算： a）根据系统的热学特性确定由入射辐射所引起的温度变化。 b）利用温度变化确定其性能，此性能可以通过适当的信号变化来反映。; Cθ－热容（J/K）； G－热导(W/K)；α－吸收率； φe－入射辐射通量，这里假定入射辐射周期地变化 初始条件： ; ;2. 热探测器的共性分析 （1）w与热力学参量对探测器性能的影响 低频： 高频： 故热辐射探测器适用于光辐射为低频调制的场 合，此时可以获得较强的探测信号。 ; 响应速度 大多数热辐射探测器的光敏面做的比较小巧 ;3.最小可探测功率或称温度等效功率PNE ;5.2 热敏电阻与热电堆探测器;1. 热敏电阻及其特点 ; 2. 热敏电阻的原理、结构及材料 ; 金属材料组成的热敏电阻具有正温度系数 半导体材料组成的热敏电阻具有负温度特性。 ; 红外辐射通过探测窗口投射到热敏元件上，引起元件的电阻变化。为了提高热敏元件接收辐射的能力，常将热敏元件的表面进行黑化处理。 ;早期：单个使用，作为惠更斯电桥的一个臂;3. 热敏电阻的参数 ; aT表示温度变化1℃时，热敏电阻实际阻值的相对变化 ; 材料常数A、B是用来描述热敏电阻材料物理特性的一个参数，又称为热灵敏指标。在工作温度范围内，B值并不是一个严格的常数, 而是随温度的升高而略有增大，一般说来，B值大电阻率也高。;（2）热敏电阻阻值变化量 ;（3）热敏电阻的输出特性 ;负载电阻电压增量：;（4）冷阻与热阻 ;（5）灵敏度（响应率） ; 增加热敏电阻的灵敏度，可采取的措施： ①增加偏压Ubb，但受热敏电阻的噪声以及不损坏元件的限制； ②把热敏电阻的接收面涂黑增加吸收率a； ③增加热阻，其办法是减少元件的接收面积及元件与外界 对流所造成的热量损失，常将元件装入真壳内，但随着 热阻的增大，响应时间也增大。为了减小响应时间，通常 把热敏电阻贴在具有高热导的衬底上； ④选用αT大的材料，也即选取B值大的材料。当然还可使元件冷却工作，以提高αT值。 ⑤采用光学浸没技术;（6）最小可探测功率 ;5.2.2 热电偶探测器 ;（3）结构： 金属热电偶 ①线状（或条状）的实体：多用于测量温度。 常用材料:铂、铹等 最大温差电动势（铋和锑）：100μV/°C 测温范围：-200°C~1000°C 测量精度可达：1/1000°C ② 薄膜型：多用于测量辐射能。 ; 半导体测辐射热电偶 特点：成本低、最大温差电动势高达500μV/°C ;2. 热电偶的基本特性参数 ;在交流辐射信号的作用下，热电偶的灵敏度S为 ;（2）响应时间 ;5.2.3 热电堆探测器 ;式中，为热电堆中热电偶的对数（或PN结的个数）。S为热电偶的灵敏度。 热电堆的响应时间常数为 ; 在相同的电信号检测条件下，热电堆能检测到的最小温差是单个热电偶的1/n。因此，热电堆对温度的分辨率能力大大增强。 ;测量误差：; 5.3 热释电器件 ;5.3.1 热释电器件的基本工作原理 ;铁电体的自发极化强度PS（单位面积上的电荷量）与温度的关系如图5-14所示，随着温度的升高，;;因为自发极化强度是单位体积内的电矩矢量之和，所以有 ;2. 热释电器件的工作原理 ;(5－38) ;(5－40) ;式中，τe＝RC为电路时间常数，R =Rs∥RL，C=Cs＋CL。τT =CH/G为热时间常数。τe、τT的数量级为0.1～10s左右。Ad为光敏面的面积，α为吸收系数，ω为入射辐射的调制频率。 ;(5－46) ;5.3.3 热释电器件的噪声 ;热噪声电压为 ;3. 温度噪声 ;考虑统计平均值时的信噪功率比为;4 响应时间 ;5.3.4 热释电器件的类型;2. 铌酸锶钡 (SBN) 热释电器件 ;3. 钽酸锂（LiTaO3） ;4. 压电陶瓷热释电器件 ;5. 聚合物热释电器件 ; 近年来发展了快速热释电器件。快速热释电器件一般都设计成同轴结构，将光敏元置于阻抗为50Ω的同轴线的一端，采用面电极结构时，时间常数可达到1