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第2.1讲 半导体激光器和发光二极管;半导体光源:
半导体激光器(LD)和半导体发光二极管(LED)
半导体光源的优点:
体积小、重量轻、耗电少、易于光纤耦合
发射波长适合在光纤中低损耗传输
可以直接进行强度调制
可靠性高;一. 激光原理的基础知识;1、光的吸收和放大; 晶体的能谱在原子能级的基础上按共有化运动的不同而分裂成若干组,每组中能级彼此靠得很近,组成有一定宽度的带,称为能带。;(2)能级的光跃迁:
电子在原子能级间的跃迁过程中以光子形式交换能量。;E2;E2;(3)光的吸收与放大;是能量密度;吸收媒质
热平衡状态;2、半导体激光器中增益区的形成
晶体中载流子的统计分布:费米-狄拉克统计
f (E):电子的费米分布函数
k: 玻耳兹曼常数
K: 绝对温度
Ef: 费米能级,它只是反映电子在各能级中分布
情况的一个数学参量,位置由电子总数决定。
E=Ef f(E)=1/2 该能级被电子占据概率等于50%
EEf f(E)1/2 该能级被电子占据概率大于50%
EEf f(E)1/2 该能级被电子占据概率小于50%
; 各种半导体中电子的统计分布
本征半导体
P型半导体
N型半导体
兼并型P型半导体
兼并型N型半导体
双兼并型半导体
;;2) PN结的能带和增益区的形成;导带;加正向电压(e0V De0VEg)PN结的能带图
对光子能量满足: Eg h ? e0V 有光增益;3、 半导体激光器的激射条件;; 制作材料:
直接带隙的
半导体材料
发射波长
? ? hc / Eg;二、半导体激光器的结构、分类和主要性质
1、F-P腔激光器
; 相位条件 :使激光器的发射光谱呈模式振荡
2?L=q2? q=1,2,3,…
? : 光波的相移系数,
L:谐振腔腔长
;(2)F-P腔激光器的分类;;按平行于PN结方向的结构分类; 在整个PN结面积上均有电流通过的结构是宽面结构;只有PN结中部与解理面垂直的条形面积上(10 ?m左右)有电流通过的结构是条形结构。
条形激光器主要优点是阈值电流低,发热少,利于散热,可以改善光谱特性。但受条宽限制不宜作大功率输出。;;2、量子阱激光器;;3、DFB激光器; 布拉格反射条件:
n(D + B) = m?
nD(1 + sin?) = m ?
2 nD= m ? m=1,2,3,…;; DFB激光器的优点
单纵模振荡
线性度好
线宽窄:布拉格反射可比作多级调谐,使谐振波长的选择性大为提高。
稳定性好:因为光栅有助于锁定在给定的波长上,使其温度漂移很小。
动态谱特性好:高速调制下也保持单模振荡,虽然动态谱宽度要比静态谱宽展宽,但较F-P腔LD展宽小得多。;三. 半导体激光器的主要特性;(2) 电光转换效率
功率效率?P:定义为激光器输出光功率Pex与注入激光器的电功率Pin之比。
内量子效率?i:定义为有源区里每秒钟产生的光子数与有源区里每秒钟注入的电子-空穴对数之比。
外量子效率?ex:定义为激光器每秒钟实际输出的光子数与每秒钟外部注入的电子-空穴对数之比。
由于 h? ? Eg ? e0V;外微分量子效率?D:
对应P-I特性中阈
???以上的线性范围的
斜率。;(3) 温度特性
随温度升高:
阈值电流增加
外微分量子效率下降
峰值波长向长波长方
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