Chapter3 单级放大器.ppt

Chapter 3 Single stage amplifiers 学习目的 对下面四类单级放大器有直观的认识，并能够分析其大信号特性和小信号特性： 共源放大器 共漏放大器（源级跟随器） 共栅放大器 共源共栅放大器（级联放大器） 直筒式级联放大器 折叠式级联放大器 Their corresponding names in the English materials and literatures（在英文资料和文献中其对应的说法） 电路的大信号分析和小信号分析的要求 大信号分析的要求 列出直流方程，解出直流工作点； 作出直流传输曲线 小信号分析的要求 增益大小的分析 输入阻抗的分析 输出阻抗的分析 3.2 共源放大器 3.2.1 以电阻为负载的共源放大器 下图是共源放大器的电路图。左图为NMOS管为放大管的共源放大器，右图为PMOS管为放大管的共源放大器。分析电路的大/小信号时，以NMOS管作为输入管的放大器为例，PMOS管的工作原理类似，不再另行分析。 ★直流大信号分析 M1是输入管，输入电压信号加在M1的栅级上，通过栅极对漏极电流的控制作用产生输出电流。该电流流过负载电阻RD，在MOS管漏极产生输出电压信号。图中的VDD表示电路的电源电压，Vin和Vout表示输入和输出直流偏置电压。 （1）当 ，M1没有导通，漏极电流ID为0，输出Vout为电源电压VDD。 ★交流小信号分析 小信号模型 3.2.2 以二极管连接的MOS管为负载的共源放大器 Ⅰ.首先来看看什么是二极管连接的MOS器件 ★直流大信号分析 考虑右图所示的二极管连接电路 2 当二极管连接MOS管作为负载时,会存在衬底偏置效应,如下图: 3.2.4 以工作在线性区的MOS为负载的共源放大器 M2工作在深线性区 , M1工作在饱和区，如果忽略处于饱和区的M1的沟长调制效应，则有下列的直流工作点的方程： 作业 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.12 3.14 3.5.1 folded cascode 从这个过程我们可以看出，折叠级联的结构与前面学习的直筒式结构的最大区别是： 前者相对于后者多了一个恒流源I1，这个恒流源既作为输入管M1的输出电流与折叠管的电流传递媒介，也是整个电路的电流偏置回路。 ★交流小信号分析 若将I1看作是理想的恒流源，其动态电阻为∞，这时折叠式的小信号等效电路完全等同于直筒式的等效电路。只不过其中的CG级换成了另一种MOS器件。而这种近似是可行的，因为I1实际为一MOS电流源，其动态电阻往往很大，而CG级输入电阻相对较小，I1的交流分流作用可以忽略。 Vout Vx ＊直流传输特性曲线的分析 ID Ⅳ 由图可知，M1 进入临界饱和时满足 或 M2进入临界饱和时满足 若设计两管同时进入临界饱和状态，将 代入得 为M1，M2均在饱和区工作的最小值， 的最大摆动范围为 也就是 . ★交流小信号的分析 计算的 等效电路：（忽略两个器件的沟长调制效应） 从上面等效电路即可得到 ,与CS级完全相同,即与M2无关。 ＊分析：从以上AV 分析看，该电路 AV未增加，而Vout 动态范围则比CS级更小，那么CS-CG有什么特色呢？ VX ＊速度问题：M2管 CDG无密勒效应。M1管 CDG有密勒效应。但由于 VX/Vin 相对很小，密勒效应弱。而输出阻抗高则可与恒流源负载匹配，形成高增益。下面予以分析： ☆ Cascode 的输出电阻 求Cascode的输出电阻等效电路： 又回到了带RS的CS级输出电阻或考虑信号源内阻RS的CG级输出电阻的情况。我们将M1的输出电阻看作M2的源串联电阻或CG放大器的信号源内阻，输出电阻为： 这个电阻远大于CS级输出电阻 。 令 则 即M2将M1的输出阻抗提高至原来的 倍. ☆Triple Cascode 三层级联的输出电阻 M3 Vb2 RS Rout ☆Cascode 本征增益（以两层Cascode为例） 即两管本征增益之积. 时 ☆Cascode Current Source 作放大器负载（Telescopic） 增益: Vout摆幅： M1,M2 Cascode output： M3,M4 Cascode output： 练习:求以恒流源为负载的共源共栅放大器的精确的增益表达式 例3.15 ＊利用辅助定理 ＊利用戴维南定理 1 基本结构 I1恒流源为M1，M2提供偏置电流,以 c 为例进行分析。 1 当Vin VTH1时，ID1 0， ID2 I1，Vout＝I1RD，达到最大。 2 随着Vin的上升，M1的沟道电流ID1增加，负载阻抗上的电流ID2减小，输出电压下降。当M2上没有电流时，Vout降为0。 ＊直流传输特性曲线的分析 ★直流大信号的分析 由图知： 于是可写