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带隙发光;固体中的带隙; 固体中绝缘体和半导体的电子能带结构如下图：; 还有一类吸收的能量低于能隙宽度，电子由价带向低于导带的底部的能级跃迁，可以看成是电子-空穴的激子能级。 ; 对于直接过程，阀值条件；对于声子促进的间接过程，能阀降低，降低的能量值等于声子的能量，但是在激子的产生过程中能量相对于上述能阀更低，降低的能值等于激子的束缚能。; 下图为导致在能隙以下形成激子的跃迁 ;;;;;; 也就是说，在非竖直跃迁中，光子主要提供跃迁所需要的能量，而声子则主要提供跃迁所需要的准动量，与竖直跃迁相比，非竖直跃迁是个二级过程，发生几率要小得多。通常我们把导带底和价带顶处于k空间同一点的半导体，称为直接带隙半导体，而把把导带底和价带顶处于k空间不同点的半导体，称为间接带隙半导体。 ; 导带中的电子跃迁到价带空能级而发射光子，是上述光吸收的逆过程，称为电子-空穴对复合发光。一般情况下电子集中在导带底，空穴集中在价带顶。发射电子的能量基本上等于带隙宽度。由于与光吸收同样的原因，在直接带隙半导体中这种发光的几率远大于间接带隙半导体，因此制作利用电子-空穴复合发光器件时，一般要用直接带隙半导体。发光颜色取决于带隙宽度。; 带隙宽度是半导体能带的一个基本参数，可以用上述本征光吸收的实验来测定，可也以用电导率随温度变化的实验来测定。用光学方法还可以确定是直接还是间接带隙半导体。锗、硅都是间接带隙半导体。GaAs、InSb是直接带隙半导体，HgTe是半金属，导带和价带之间有能带交叠。 ;直接带隙发光;直接带间跃迁;直接带间跃迁;直接带间跃迁;直接带间跃迁;直接带间跃迁的分类;允许的直接跃迁;允许的直接跃迁;允许的直接跃迁;允许的直接跃迁;直接带隙发光;间接带隙材料的发光 ;间接带隙材料概念;硅的可见光发射; 多孔硅的发光存在老化现象，即它会随时间而变化。下图是对一个阳极氧化所形成的多孔硅样品测量其光致发光谱峰值强度随时间的变化。样品是置于空气之中任其自然氧化， 虽然峰值强度随着自然氧化的时间而增强, 但发光谱的峰值???长只有很微小的移动。 如果按照一维量子线的模型, 信号强度的增大意味着量子线的数目在增加, 而峰值波长不变意味着盘子线的直径分布没有随氧化时间而改变。 ; 改变阳极氧化条件，即改变多孔度，可以实现发光谱峰值波长由700nm移到更短的波长范围 ;多孔硅的光致发光机制;展望;谢谢！