2CMOS电路设计基础概述.pptVIP

2.1 晶体管知识简介 2.2 MOS晶体管开关 2.3 基本的CMOS逻辑门 2.4 逻辑设计相关基础知识简介 习题 ;代替体积大、功率消耗大的电子管 电子管：;晶体管： 体积小，功耗低，成本低，能大规模生产;晶体管的发明;晶体管的发明;晶体管和电子管比较;④晶体管结实可靠，比电子管可靠100倍，耐冲击、耐振动，这都是电子管所无法比拟的。 ⑤另外，晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一，放热很少，可用于设计小型、复杂、可靠的电路。;2. 晶体管的分类;;2.2 MOS晶体管开关;2.2 MOS晶体管开关;2.2 MOS晶体管开关;基本电路结构：MOS器件结构;基本电路结构：CMOS;基本电路结构：CMOS;CMOS结构;2.2 MOS晶体管开关;2.2 MOS晶体管开关;2.2 MOS晶体管开关;NMOS是在P型硅的衬底上，通过选择掺杂形成N型的掺杂区，作为NMOS的源漏区；PMOS是在N型硅的衬底上，通过选择掺杂形成P型的掺杂区，作为PMOS的源漏区。 两块源漏掺杂区之间的距离称为沟道长度L，而垂直于沟道长度的有效源漏区尺寸称为沟道宽度W。 对于这种简单的结构，器件源漏是完全对称的，只有在应用中根据源漏电流的流向才能最后确认具体的源和漏。 ;沟道长L、沟道宽W 沟道长度L：为漏源之间栅的尺寸，一般其最小尺寸即为制造工艺中所给的特征尺寸（如0.2