3、MOS管概述.ppt

第四章 场效应管及其基本放大电路 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 漏-源电压对漏极电流的影响 转移特性 输出特性 关键参数： 沟道长度 L 沟道宽度W 栅氧化层厚度 Tox 衬底掺杂浓度 Nsub 源漏pn结结深xj 1、阈值电压（开启电压） ——形成强反型状态时的栅极电压称为阈值电压 阈值电压VT是MOS晶体管的一个重要的电参数，也是在制造工 艺中的重要控制参数。VT的大小以及一致性对电路乃至 集成系统 的性能具有决定性的影响。 影响MOS晶的阈值电压VT 的因素: 介质的二氧化硅 栅氧化层 中的电荷以及电荷的性质；衬底的掺杂浓度; 栅氧化层厚度tOX；栅材料与硅衬底的功函数差。 （铝栅的ΦMS为-0.3V，硅栅为+0.8V。所以硅栅NMOS器件相对于铝栅NMOS器件容易获得增强型器件） 没有形成反型层，即源和漏之间无导电沟道。 ---恒流区 3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 3. 分压式偏置电路 四、场效应管放大电路的动态分析 2. 基本共源放大电路的动态分析 3. 基本共漏放大电路的动态分析 基本共漏放大电路输出电阻的分析 Ids βn[ Vgs-Vtn -Vds/2]Vds βn【 Vgs-Vtn 2- Vgd-Vtn 2】 ---线性区 （3）截止区：Vgs-Vtn≤0 Ids 0 （4）击穿区：电流突