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（一）立项依据与研究内容（4000-8000字）： 项目的立项依据（研究意义、国内外研究现状及发展动态分析，需结合科学研究发展趋势来论述科学意义；或结合国民经济和社会发展中迫切需要解决的关键科技问题来论述其应用前景。附主要参考文献目录） 进入二十一世纪以来，以液晶显示（LCD）、等离子体显示（PDP）为主的平板显示器已经以其大显示面积、轻薄性和易于实现高清晰度影像显示等特点而逐步取代传统的阴极射线管（CRT）技术，成为了显示器和电视的主流技术。 中国在整个平板显示器技术领域起步相对较晚，因此在拥有全球最强的CRT产业的同时却非常缺乏作为升级换代的平板显示器核心技术，整体显示产业面临严峻的生存挑战。 场发射显示（field emission display, FED）的概念从二十世纪六十年代提出到目前已经经历了近50年的研究。第一台Spindt阴极矩阵选址32×32像素单色FED的诞生于1986年。[1]由于场发射显示屏能提供类似于CRT的亮度和颜色，视角宽，对温度变化不敏感，并且具有全运动视频功能，厚度薄，功耗低，因此继LCD和PDP之后成为研究的热点。 至二十一世纪初，全球开展FED研制的机构有SRI（美国）、Honeywll（美国）、Micro Display Tech（美国）、Motorola（美国）、TI（美国）、FED（美国）、Silicon Video（美国）、PixTech（美国）、LETI（法国）、Futaba（日本）、松下（日本）、ISTOK RSP（俄罗斯）、Orin Electrical（韩国）、Samsung（韩国）、台湾工业技术研究院（中国台湾）、福州大学（中国）、中山大学（中国）、东南大学（中国）、西安交通大学（中国）、中科院长春光学精密机械与物理研究所（中国）等等。 目前基于薄膜技术和半导体工艺的FED已经进入量产阶段。Futaba公司的单色Spindt阴极FED已经进入市场，彩色Spindt阴极FED也已投入大规模生产。Futaba公司投产的彩色Spindt阴极14.4英寸SVGA FED阳极电压为3kV，亮度达到400cd/m2。[2] 如果将基于薄膜技术和半导体工艺的FED划分为第一代FED，可以看出第一代FED尽管在色纯、亮度、寿命等方面取得了巨大成功。但与其它平板显示器件相比，成本过高，制作工艺复杂，最重要的就是向大尺寸发展会导致均匀性降低。 为了提高FED在显示器件市场的竞争力，调查表明第二代FED的研制将集中在大屏幕和低成本方面。[3]各家研究机构一般在从两方面进行研究（1）用新型材料替换传统的场发射材料，（2）研究新型结构的FED。 对于第一个方面的研究，经过多家研究机构的努力，近年来已经取得了长足的进展。在众多被研究的材料中，碳系列材料显示了最令人鼓舞的场发射的特性。而在碳材料中，碳纳米管显示出良好的电特性和化学特性，悬殊的长径比使其具有很低的开启场强。因此大部分研究者将碳纳米管场发射体作为新一代FED研究的重点。新型场发射材料的使用，使得制造大屏幕场发射显示器件成为可能。同时为了进一步降低成本与其它平板显示技术竞争，还应发展新的厚膜制作工艺来替代昂贵的薄膜技术。例如研究较多的碳纳米管FED的阴极制作大多采用了直接生长[4]或丝网印刷的方法[5]，还有一些研究机构采用了喷涂和喷墨的方法制作阴极，为FED的发展提供了新途径[6,7] 。而在研究不同FED结构时，大部分研究机构不约而同的选择了碳纳米管作为阴极发射材料，这也证明了碳纳米管应用于FED具有广阔的前景。 除了使用新型场发射材料和成本较低的制作工艺，对不同FED结构的研制也是一个热点。致力于这方面研究的代表性的项目有： （1）韩国Samsung公司的基于印刷碳纳米管发射体的FED结构，证实了大面积印刷碳纳米管的可行性。2002年的IDW’02会议上，Samsung公司报告了其研制的32英寸后栅极FED，亮度达到150cd/m2，实现了全彩色视频显示[8]。 （2）日本ULVAC公司采用网状栅极替代传统栅极，有效地控制了电子束发散的现象，电子束斑由采用普通栅极时的0.5mm减小到0.2mm[9]。 （3）韩国electronics and telecommunication institute 研制了锥形栅极的碳纳米管FED。该结构中的栅极是一个锥形孔，靠近阴极的部分开口大，靠近阳极的部分开口小，可提高电子的汇聚性并能够保护在高阳极电压作用下的碳纳米管阴极不受破坏。该公司成功研制了5英寸QQVGA彩色动态显示的样屏[10]。 （4）Philips Research 和LG-Philips Display 合作研制了一种基于二次电子发射的FED结构，HOPFED[11]。利用阴极发射的电子打到壁上产生大量二次电子和散射电子来