高分辨透射电子显微术概念.ppt

第二篇 材料电子显微分析; 高分辨电子显微术是材料原子级别显微组织结构的相位 衬度显微术，利用该技术可使大多数晶体材料中的原子串成 像，称为高分辨像 图12-1为面心立方结构的Si晶体沿[0 0 1]方向的高分辨像，其 中白色亮点为Si 原子串的投影位置 ;第十二章 高分辨透射电子显微术;透射电子显微镜按其功能特点和主要用途可分为： 生物型 特点是提供高衬度，加速电压一般低于120kV，主 要用于生物、医学领域 分析型 特点是样品台具有较大的倾角， 加速电压要高于 120kV，此外要有配备 EDS 等附件的能力， 可实 现微观组织、晶体结构和微区成分的原位分析，主 要用于材料科学、物理、化学等领域 高分辨型 特点是具有高分辨率，点分辨率应优于0.2nm， 用于观察和分析晶体缺陷、 微畴、 界面及表面 处的原子排列，加速电压在200kV或以上，应用 领域与分析型电镜相同 上述三类电镜主要因物镜极靴结构的差别， 从而使物镜球 差系数CS不同，减小CS是提高分辨率的途径之一;一、样品透射函数 用样品透射函数q(x,y)，以描述样品对入射电子波的散射 q(x, y) = A(x, y)exp[iφt(x, y)] (12-2) 式中，A(x, y)是振幅，且 A(x, y) = 1为单一值； φt(x, y)是相 位，样品足够薄时，有 (12-8) 式中，? = ? /?E为相互作用常数。上式表明，总的相位移动 仅依赖于晶体的势函数V(x, y, z)。忽略极小的吸收效应，则 q(x, y) = 1 + i? Vt(x, y) (12-10) 这就是弱相位体近似， 弱相位体近似表明， 对于非常薄的 样品， 透射函数与晶体的投影势呈线性关系， 且仅考虑晶 体沿z方向的二维投影势Vt(x, y) ;二、衬度传递函数 电子波经过物镜在其背焦面上形成衍射花样的过程，可用衬 度传递函数表示 A(u) = R(u) exp[i?(u)] B(u) C( u ) (12-11) 式中, u 是倒易矢量； R是物镜光阑函数；B和C分别是照明 束发散度和色差效应引起的衰减包络函数； ? 是相位差 ?(u) = ??f ? u2 + 0.5?Cs?3u4 (12-12) 物镜球差系数Cs和离焦量?f 是影响sin?的两个主要因素 在最佳欠焦条件下, sin? 曲线上绝对值为 1 的平台 (通带) 最 宽，称此为Scherzer欠焦条件，此时点分辨率最佳 sin? 能否在倒易空间一个较宽的范围内接近于?1，是成像最 佳与否的关键条件 ;二、衬度传递函数 JEM 2010透射电镜在加速电压为200kV、Cs = 0.5mm、 ?f = ?43.3nm(最佳欠焦条件)时， 其sin? 函数见图12-2，点 分辨率为0.19nm (曲线与横轴的交点u = 5.25nm-1处);第二节 高分辨电子显微像的原理;第二节 高分辨电子显微像的原理;四、欠焦量、样品厚度对像衬度的影响 只有在弱相位体近似及最佳欠焦条件下拍摄的高分辨像 才能正确反映晶体结构。但实际上弱相位体近似的要求很难 满足 当不满足弱相位体近似条件时，尽管仍然可获得清晰的高分 辨像，但像衬度与晶体结构投影已不存在一一对应关系 随离焦量和试样厚度的改变，会出现图像衬度反转；像点分 布规律也会发生变化 由图12-4可看出，随欠焦量和厚度的改变， 像点分布规律发 生了明显变化。只有(欠焦量，厚度)为(-192, 14)、(-194, 12) (-196, 10)、(-198, 8)、(-200, 6)、 (-202, 4)等条件下， 亮点才 代表Y0.25Zr0.75O2-x相中Y原子的投影位置;四、欠焦量