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1、交作业;问题;第5章;CPU（寄存器）;多级存储体系;半导体
存储器;RAM的结构;存储器容量描述;RAM芯片;DRAM芯片;现代RAM;1KB（Kilobyte）=1024B，即2的10次方字节，读音“千字节”
1MB（Megabyte）=1024KB，即2的20次方字节，读音“兆字节”
1GB（Gigabyte）=1024MB，即2的30次方字节，读音“吉字节”
1TB（Terabyte）=1024GB，即2的40次方字节，读音“太字节”
1PB（Petabyte）=1024TB，即2的50次方字节，读音“拍字节”
1EB（Exabyte）=1024PB，即2的60次方字节，读音“艾字节”
1ZB（Zettabyte）=1024EB，即2的70次方字节，读音“Z字节”
1YB（Yottabyte）=1024ZB，即2的80次方字节，读音“Y字节”;存储器容量扩充;存储器容量位扩充;存储器容量字扩充;存储器容量字扩充;例题1;全译码示例;例题2;例题2;PC机的DRAM存储器;16位微机系统中的内存储器接口;A0和BHE对存储体选择编码表;A0和BHE对存储体选择编码表;32位微机系统的内存组???;问题;;地址分配;高速缓冲存储器;Cache解决的问题;;全相联映射;全相联映射;直接映射方式;直接映射方式;组相联映射方式;组相联映射方式;替换策略;更新算法;第6章掌握内容;1、交作业;● 一、虚拟存储器的概念;● 2、虚存的访问过程;cache与虚存的异同;不同点;虚存机制要解决的关键问题;段式虚存的地址变换;页式虚存的地址变换;页式虚存的地址变换;快慢表变换法;段页式虚存地址变换法;虚拟的替换算法;随机读写存储器;静态读写存储器SRAM;EPROM芯片2716;EEPROM芯片28258;页面式闪存;DRAM;动态RAM存储器;DRAM刷新;DRAM控制器;存储器的技术指标存取速度;存储器的技术指标功耗，可靠性;存储芯片的读写控制;地址扩充（字扩充）;门电路译码;译码器74LS138;部分译码示例
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