半导体及集成电路领域的撰写及常见问题概论.ppt

半导体及集成电路领域的撰写及常见问题;本文简介：;主要内容：;;半导体器件的制备包含通过常见的半导体工艺形成半导体器件的各个部件以及半导体封装件，半导体器件的应用将具有特定的电学特性的半导体器件例如IC应用在电路、计算机、通信、商业等领域中。; 电学发明审查部的半导体处仅涉及分立或集成的半导体器件及其制备，不涉及这些器件的应用，从分类号的角度来说，仅涉及H01L下的专利申请。因此，下面介绍的内容也主要针对半导体器件及其制备。; H01L领域的特点是涉及到的产品种类多、工艺方法多、功能性限定相对少。;半导体器件的零部件例如有：将引线框架、引线键合或焊料凸点、安装架、安装容器、散热装置、密封层、封装树脂层等。;工艺方法多：外延生长、掺杂、扩散、离子注入、退火、光刻、湿法蚀刻、干法蚀刻、抛光、引线键合、载带自动焊、芯片倒装焊、外壳封装、表面贴装等等。;功能性限定相对少：由于涉及元器件和制造工艺多，因此对于元器件来说，通常不需要借助功能性限定，用元器件的结构特征及各个结构特征之间的位置或连接关系就可以将产品限定清楚，对于制造工艺，需要用制造步骤、工艺方法、工艺参数来限定，而不是功能性描述。;二、申请文件的撰写要求及相应的常见问题; 根据专利法第26条第1款的规定，申请发明或者实用新型专利的，应当提交请求书、说明书及其摘要和权利要求书等文件。;（一） 说明书应当符合专利法第26条第3款、专利法实施细则第18条、19条的规定。; 专利法第26条第3款规定：说明书应当对发明或者实用新型作出清楚、完整的说明，以所属技术领域的技术人员能够实现为准；必要的时候，应当有附图。;i）说明书的内容应当清楚，具体应满足下述要求。 主题明确，前后一致 用词准确，无歧义;ii）说明书的内容应当完整 一份完整的说明书应当包含下列各项内容： （1）帮助理解发明或者实用新型不可缺少的内容。（有助于理解发明） （2）确定发明或者实用新型具有新颖性、创造性和实用性所需的内容。（有别于现有技术） （3）再现发明或者实用新型所需的内容。（能够再现）; iii）所属技术领域能够实现 是指所属技术领域的技术人员按照说明书记载的内容，不需要创造性的劳动，就能够再现该发明的技术方案，解决其技术问题，并且产生预期的技术效果。;提示：如果申请人视为“技术秘密”（know-how）的内容是该技术领域的技术人员实施或再现本发明或实用新型所必不可少的，就不可作为技术秘密保留起来，应当记载在说明书中；否则，由于“说明书的修改不得超出原说明书和权利要求的记载范围”，那些被申请人当作技术秘密保留起来的必不可少的技术内容在修改时就不能补充到说明书中去，从而可能导致最后驳回申请。; 以下各种情况由于缺乏解决技术问题的技术手段而被认为无法实现： 1）说明书中仅给出了任务和/或设想，或者只表明一种愿望和/或结果，而未给出任何使所属技术领域的技术人员能够实施的技术手段； 2）说明书中给出了解决手段，但对所属技术领域的技术人员来说，该手段是含糊不清的，根据说明书记载的内容无法具体实施；; 3）说明书中仅给出了解决手段，但所属技术领域的技术人员采用该手段并不能解决所述技术问题； 4）申请的主题为由多个技术措施构成的技术方案，对于其中一个技术措施，所属技术领域的技术人员按照说明书记载的内容并不能实现； 5）说明书中给出了具体的技术方案，但未提供实验证据，而该方案又必须依赖实验结果加以证实才能成立。;举例1： 发明名称：半导体器件三维接触的形成 背景技术：现有技术中大多采用等离子体蚀刻技术进行三维蚀刻，但需要价格昂贵的设备，并且等离子体蚀刻中还有晶格损伤问题，尽管可以通过热处理消除大部分的晶格缺陷，但是必要的热处理过程会导致制造成本上升。;发明内容：用特殊的化学药品进行各向异性腐蚀形成半导体器件的电极接触，增加电极接触面积，使工作时通过表面的电流密度下降，从而使器件内部的压降降低。 采用化学药品进行腐蚀，晶格损伤为零，可以大量成批处理。只要控制化学药品的组成、腐蚀温度和时间，就能得到一定深度的槽状结构。;实施例： 结晶方向为110单晶棒，按一定的厚度切割成片，表面镜面抛光。然后在表面涂布光刻胶，利用通常的方法进行曝光、显影形成线宽为10micron，间隔为3micron连续图形。如图1所示，光刻胶（A）幅宽为10micron，间隔（B）为3micron。将此硅片放入温度为40℃的碱性化学药品中。;附图1：;举例2： 发明名称：纳米孔道中的晶体管及其集成电路 技术方案：利用分子筛材料的纳米孔道特点，在纳米孔道中装入P型和N型半导体材料，并且在P型和N型