晶体管原理(4-2).ppt

4.2 MOSFET 的阈电压; 4.2.1 MOS 结构的阈电压 ; 上图中，; 上图中，?S 称为 表面势，即从硅表面处到硅体内平衡处的电势差，等于能带弯曲量除以 q 。COX 代表单位面积的栅氧化层电容， ，TOX 代表栅氧化层厚度。; 3、实际 MOS 结构当 VG = VFB 时的能带图 当 时，可以使能带恢复为平带状态，这时 ?S = 0，硅表面呈电中性。VFB 称为 平带电压 。; 4、实际 MOS 结构当 VG = VT 时的能带图 要使表面发生强反型，应使表面处的 EF - Eis = q?FP ，这时能带总的弯曲量是 2q?FP ，表面势为 ?S = ?S,inv = 2?FP 。; 外加栅电压超过 VFB 的部分（VG -VFB）称为 有效栅电压。有效栅电压可分为两部分：降在氧化层上的 VOX 与降在硅表面附近的表面电势 ?S ，即 VG – VFB = VOX + ?S ; 上式中， QM 和 QS 分别代表金属一侧的电荷面密度和半导体一侧的电荷面密度，而 QS 又是耗尽层电荷QA 与反型层电荷 Qn 之和。;中，可得 MOS 结构的阈电压为;下面推导QA ( 2?FP ) 的表达式（对于均匀掺杂的衬底）;;称为 N 型衬底的费米势。;4.2.2 影响阈电压的因素;1015 cm-3 时， 约为 0.3 V 。; ?MS 与金属种类、半导体导电类型及掺杂浓度有关。对于Al ~ Si 系统，; d) 耗尽区电离杂质电荷面密度 QAD; e) 栅氧化层中的电荷面密度 QOX ; 对于 N 沟道 MOSFET ，; 对于 P 沟道 MOSFET ，; 4.2.4 离子注入对阈电压的调整 ; 则经离子注入调整后的阈电压为; 作业 1、制作N沟增强型MOS管衬底材料的电阻率与制作N沟耗尽型MOS管衬底材料的电阻率相比，哪个选的应高一些，为什么？ 2、对于增强型NMOS管，当VBS0时，阈电压VT如何改变?Δ VT与哪些参数有关？