发电式传感器及其应用概论.pptVIP

测试技术—— 发电式传感器及其应用;内容 ;5.1.1 压电式传感器基本原理;压电式传感器 等效电路：两极板上聚集异性电荷，中间为绝缘体的电容器 压电材料：石英晶体、钛酸钡、锆钛酸铅等;压电式传感器 结构形式 两片、四片压电材料串并联组成，提高灵敏度 ;5.1.2 压电式传感器的应用;5.1.2 压电式传感器的应用;5.1.2 压电式传感器的应用;5.1.2 压电式传感器的应用;5.1.2 压电式传感器的应用;5.1.2 压电式传感器的应用;ui; 常有动圈式和变磁阻式两种结构形式: 变磁阻式常常被用于测量角速度或转轴的转速； 动圈式传感器一般被用于测量直线运动速度.;磁电式速度传感器 绝对速度传感器 组成：磁路系统、惯性质量、弹簧阻尼 线圈 壳体振动?磁钢随之振动?芯轴相对静止?线圈切割磁力线?线圈中感应电势 感应电势E=kV，式中k为取决于磁感应强度、线圈长度和匝数,V为绝对振动速度 ;磁电式速度传感器 绝对速度传感器 动态特性 固有频率应该尽可能低，但实现有很大困难 由于结构上的原因，固有频率一般取10～15Hz 工作频率：15～1000Hz 阻尼比：阻尼环产生磁阻尼力（0.5~0.7） ;磁电式速度传感器 相对速度传感器 芯轴——顶杆 壳体——顶杆：相对速度 输出电压：正比相对速度 测量频率：0～1kHz;磁电式转速传感器;磁电式扭矩传感器;光电式传感器 光电效应 在光的照射下，激发物体的电子运动的现象 外光电效应：光能? 光电流信号 电子逸出 内光电效应 改变导电性能;光电式传感器 半导体光电器件 光敏电阻、光敏二极管——材料的电阻随光照强度的增加而减小 光电池——电流源：材料硒、硅、锗等,受光照产生光电动势 光敏晶体管——光线通过孔到达PN结，获得较大的集电流输出 ;5.3.2 光电式传感器的应用;5.3.2 光电式传感器的应用;5.3.2 光电式传感器的应用;5.3.2 光电式传感器的应用;CCD图像传感器 CCD（Charge Coupled Device）——电荷耦合器件 CCD 组成：类似马赛克的网格——MOS电容器、聚光镜片以及底层的测量矩阵 MOS（Metal Oxide Semiconductor）电容器——像素、像点、感光点 构成：在P－Si衬底上淀积金属而构成的一只电容器 工作原理：在光照射下，感光小单元积聚光生载流子——电荷 CCD功能：根据光的强弱积聚相应的电荷，由测量矩阵读出 CCD厂商：SONY、Philips、Kodak、Matsushita、Fuji;5.4.1 固态图像传感器基本原理;5.4.1 固态图像传感器基本原理;5.4.2 固态图像传感器的工程应用;5.4.2 固态图像传感器的工程应用;5.4.2 固态图像传感器的工程应用;霍尔传感器 霍尔效应 金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势——霍尔电压 霍尔电压UH与通过电流I和磁感应强度B成正比 d越小，kH就越大（薄膜霍尔元件d为1μm左右）;霍尔传感器 霍尔元件 N型半导体材料：锗、硅、锑化铟、砷化铟 特性 尺寸小、特别是厚度很小，可以放到磁场的空隙中，因而很方便； 输出信号大，灵敏度可达12mV/mA-T 输出电阻小，只有0.5~100欧姆 建立霍尔电势的时间极短（10-12~10–14s），高频测量 应用 直接测量：磁场B、电流I 间接测量：位移、厚度、重量、转速;霍尔式转速传感器 测转速 在传感器内用稀土磁钢给霍尔器件建立初始磁场——磁偏置 铁磁齿经过霍尔器件前方时，引起该磁场发生变化； 霍尔器件检测、转换成一个交变信号，内置电路进行放大、整形，输出 ;5.5.2 霍尔传感器的应用;5.5.2 霍尔传感器的应用;5.5.2 霍尔传感器的应用;5.5.2 霍尔传感器的应用;热电效应：将温度信号转换成热电势 当不同材料的两导体Ａ和Ｂ的两个结点处温度不同时，则回路中产生热电势 ;5.6.1 热电偶传感器原理;5.6.1 热电偶传感器原理;5.6.2 热电偶的分类;5.6.2 热电偶的分类;5.6.2 热电偶的分类;5.6.2 热电偶的分类;红外辐射 温度在绝对零度以上的物体，都会因自身的分子运动而辐射出红外线，波长在0.76～100μm 物体温度愈高，则辐射到空间去的能量愈多 ;红外探测器：辐射能?电能 （1）热探测器：热电偶型、气动型、热释电型 1）热电偶型：多对热电偶串连相接 辐射能?红外辐射透镜?热端;红外探测器：辐射能?电能 （1）热探测器：热电偶型、气动型、热释电型 2）气动型——吸收红外辐射后，