微电子学第03讲器件物理基础二极管、三极管和MOS管概论.ppt

第二章 半导体物理和器件物理基础;第二章主要内容;第三部分：PN结;PN结的形成;;从能带角度看PN结(作业：试画出PN结的能带图);作业：由掺杂费米能级求出无外加偏压、热平衡状态下的PN结势垒高度;举例：掺杂浓度下硅基PN结的势垒高度;无外加偏压、热平衡条件下的载流子浓度分布图;无外加偏压、热平衡条件下空间电荷区宽度;举例：不同掺杂浓度下硅基PN结的空间电荷区宽度;正偏压：1. 能级;正偏压：2. 导电机理（正向注入、多数载流子、扩散）;反偏压：1. 能级;反偏压：2. 导电机理 （反向抽取、少数载流子、漂移）;PN结的电流电压关系;PN结的反向击穿作业:PN结的反向击穿的原因有哪几种?;PN结电容：1.势垒电容;影响势垒电容的因素;PN结电容：2.扩散电容;等效电路;金属—半导体接触（N型为例）1. 能带结构;金属—半导体接触（N型为例）2. 肖特基接触;金属—半导体接触（N型为例）3. 欧姆接触;;;本节要点;第四部分：双极晶体管;基本结构;;基本工作原理;共基极的电流传输;直流共基极的电流增益;直流共基极的电流增益;共射极及其直流电流增益;;晶体三极管小结;晶体管的特性参数1-反向漏电流;晶体管的特性参数2-反向击穿电压;晶体管的特性参数3-频率特性（1）;晶体管的特性参数3-频率特性（2）;晶体管的特性参数3-频率特性（3）;晶体管的特性参数3-频率特性（4