7 少子寿命测试.pptVIP

课程具体内容及安排;少数载流子寿命测试; 非平衡载流子及少子寿命 -平衡载流子浓度 -非平衡载流子 -载流子的光注入 -小注入 -少数载流子寿命 少子寿命影响因素 少子寿命的测试方法简介 -微波光电导衰减法 -红外载流子密度成像法 ;非平衡载流子及少子寿命;平衡载流子;EC;在光激发下，一开始载流子产生率G大于复合率R，导致载流子增加。到稳态时G = R，此时载流子浓度趋于稳定。 电子和空穴浓度： n = n0 + Δn；p = p0 + Δp - n0 、p0 分别为平衡时电子和空穴的浓度； -Δn Δp 分别为非平衡载流子浓度。 ;小注入：注入的非平衡载流子浓度（过剩载流子浓度）远小于平衡态时的多子浓度，比如： n型半导体中：Δn n0，Δp n0。 p型半导体中：Δn p0，Δp p0。 大注入：过剩载流子浓度接近或大于平衡时多子的浓度 ;当光激发撤销时，一开始产生率G小于复合速率R，导致Δn、Δp不断衰减，最后当恢复到平衡状态时Δn = Δp = 0；G = R。在这过程中，净的复合率U = R – G。 半导体由非平衡态恢复到平衡态的过程，也就是非平衡载流子逐步消失的过程。 ;少子寿命　; 考虑小注入条件下，若p型半导体在t=0时刻非平衡载流子浓度为(Δn)0，并在此时突然停止光照, Δn(t)将因为复合而随时间变化，也就是非平衡载流子浓度随时间的变化率等于非平衡载流子的复合率 U，即;非平衡载流子浓度呈指数衰减 ;τ的物理意义：非平衡载流子的平均生存时间。其大小反映了外界激励因素撤除后非平衡载流子衰减速度的不同，寿命越短衰退越快。 -τ 越大，载流子复合能力愈弱，衰减得越慢； -τ越小，衰减得越快。 因为非平衡载流子对少子浓度影响极大，所以τ称为少子寿命。 - 少子寿命一般指少子复合寿命。 - 影响少子寿命因素很多，影响机制极复杂。 不同材料或同一种材料在不同条件下，其寿命τ可以在很大范围内变化。; 扩散长度：少子在被湮灭之前能够在大量多子内扩散的平均距离. ;少子寿命的作用;载流子的复合会使光电流减少。少子寿命越小，光电流越小。 少子寿命减小，增加漏电流，从而使开路电压减小。 总之，少子寿命越小，电池效率越低。;少子寿命影响因素; 少子寿命影响因素;体内复合机制; 通过深能级杂质或缺陷所形成的复合中心来复合； 为硅中的主要复合形式； 间接复合主要基于SRH(Shockley-Read-Hall)模型，故又称为SRH复合。 ;SRH (Shockley-Read-Hall) 模型;SRH少子寿命公式;关于SRH复合的讨论;硅中的杂质与缺陷对少子寿命的影响;表面复合机制;有效寿命;影响有效少子寿命的因素;表面复合速率 S 越大，偏差越大； 样品厚度 W 越小，偏差越大。;当体少子寿命小于1μs，无论 S 多大，偏差小于10%。;当表面状态一定时，体少子寿命降低，有效少子寿命也降低。;少子寿命测试方法;少子寿命测试方法;微波光电导衰减法;微波源产生红外脉冲激光； 红外脉冲激光激发产生非平衡载流子； 样品电导率随时间的变化通过样品对微波的反射加以检测； 微波探测器探测发射和反射的微波谱。 ;微波光电导衰减法;红外脉冲激光源(905nm) 微波源和信号接收(10 ± 0.5 GHz);微波光电导衰减法;低注入水平下，一定的频率下，发射和反射微波信号差正比于非平衡载流子浓度Δn。 ;选取不同的频率，信号差有时正有时负。 无论如何都和非平衡载流子浓度Δn成正比;信号呈指数衰减，即呈现出非平衡载流子衰减的规律。 通过拟合指数衰减信号得到少子寿命的值。 对样品表面连续点扫描可以得到少子寿命分布图。;;前面一段数据由于高注入偏离指数衰减规律。;从Time cursor算起拟合指数拟合信号得到少子寿命τ;微波光电导衰减法;光电导法测试少子寿命：瞬态vs.稳态方法;直接测出非平衡载流子的空间分布，并反映出载流子的寿命信息;红外载流子密度成像法;红外载流子密度成像法;小结; 测量少数载流子寿命方法 很多，最常用的是光电导衰退法(PCD)，其次是表面光电压法。这两种方法 (指直流PCD)已被美国材料测试学会(ASTM)列为少数载流子寿命的标准测试 方法。 PCD有三种：直流PCD、高频PCD和微波PCD。这三种方法的基本原 理和数据处理均相同，只是对式样中非平衡载流子衰退过程所用的检测技术 不同而已。直流PCD测试方便迅速，结果比较可靠，得到广泛应用。但只适 用于硅锗等间接带隙半导