半导体表面和MIS结构.ppt

第8章 半导体表面和MIS结构;本章内容： 表面态概念 表面电场效应 MIS结构电容-电压特性 硅-二氧化硅系统性质 ;8.1表面态;从化学键的角度，以硅晶体为例，因晶格在表面处突然终止，在表面最外层的每个硅原子将有一个未配对的电子，即有一个未饱和的键，这个键称为悬挂键，与之对应的电子能态就是表面态。 实际表面由于薄氧化层的存在，使硅表面的悬挂键大部分被二氧化硅层的氧原子所饱和，表面态密度大大降低。 此外表面处还存在由于晶体缺陷或吸附原子等原因引起的表面态；这种表面态的数值与表面经过的处理方法有关。;由表面态（表面能级）的性质和费米能级的位置，它们可能成为施主或受主能级，或者成为电子－空穴对的复合中心。 半导体表面态为施主态时，向导带提供电子后 变成正电荷，表面带正电；若表面态为受主态， 表面带负电。 表面附近??动电荷会重新分布，形成空间电荷 区和表面势，而使表面层中的能带发生变化。 ;8.2表面电场效应8.2.1空间电荷层及表面势;8.2表面电场效应8.2.1空间电荷层及表面势;8.2表面电场效应8.2.1空间电荷层及表面势;8.2.2 各种表面层状态;8.2.2 各种表面层状态;8.2.2 各种表面层状态;8.2.2 各种表面层状态;8.2.2 各种表面层状态;8.2.2 各种表面层状态;8.2.2 各种表面层状态;§8.3 MIS结构的电容-电压特性;8.3.1 MIS结构的微分电容;;8.3.2 理想MIS结构的低频C-V特性;MIS结构的微分电容公式:;① VG0 VS0 表面积累, CS很大, (C/Co)→1, MIS结构的电容呈现为Co ;;;;8.3.3理想MIS结构的高频C-V特性;;? MIS结构的电容也呈现最小值 ——不再随偏压VG呈现显著变化;;深耗尽状态;当表面处于深耗尽--随VG增加, d增加(dM), MOS结构的电容不再呈现为最小值.;8.3.4 实际MIS结构的C-V特性;;当绝缘层中有分布电荷 则有: 其中,氧化层中总有效电荷面密度;8.4 Si-SiO2系统的性质;;8.4.1 二氧化硅中的可动离子;;;;;;8.4.2 二氧化硅中的固定表面电荷;;;8.4.3在Si-SiO2界面处的快界面态;;;;;8.4.4 SiO2中的陷阱电荷