半导体薄膜生长.pptVIP

半导体薄膜的生长;半导体薄膜的生长;11.1 台阶流动和二维成核;;;我们可以固定原子到达流量，改变衬底温度，测定不同温度下RHEED强度随时间的变化曲线，如右图所示。温度在615℃以上时，RHEED强度随时间曲线平稳，生长以台阶流动为主。在615℃以下，RHEED强度随时间的曲线出现越来越明显的振荡，生长以二维成核为主。 615℃可以称为台阶流动到二维成核生长的转变温度TC ;图11.3（b）是Shitara等用Monte-Carlo方法模拟得到的GaAs(001)邻晶面不同温度下表面结构给出的台阶密度随时间的变化曲线。和RHEED强度随时间变化的实验曲线比较厚可以看出两者符合的很好。模拟时考虑温度较高，二维晶核边缘原子也可以扩散，使用的扩散激活能E=ES+zEN (是增原子和衬底之间的键能，原子和相邻原子的键能，z是邻近原子数)。对单个增原子z=0.取ES=1.58eV,EN/ES=0.15,衬底温度为560-620 ℃时模拟得出表面结构随时间的曲线可见：615 ℃以下台阶密度开始出现起伏。;利用外延薄膜和衬底之间的错配，在一定的条件下可以自发地（或自组织）形成量子线和量子点 ;台阶上扩散;如果超晶格A/A’/A/A’..中每一层的厚度都很小，就可以不产生错配位错的应变超晶格。它有两个特点： （1）应变超晶格薄膜和衬底B有严格的共格关系；（2）在超晶格A、A’层中存在弹性应变.应变超晶格可以分为I型和II型。;I型超晶格厚度的增加，衬底和超晶格中总应变能迅速增大，到达临界厚度后，为松弛衬底和超晶格中的应变能，衬底和超晶格之间产生错配位错。 II 型超晶格的应变能限于超晶格中，因为错配位错不能松弛平均应变为零的应变能，因此II型超晶格可以始终保持严格的共格关系（即赝形性），不随晶格周期数的增大而产生错配位错。但实际上II型超晶格的条件常常难以达到，为了减小超晶格中的应变能，有时也在衬底上沉积适当厚度的缓冲层，使缓冲层和超晶格满足II型超晶格的条件;Singe在Si或Ge衬底上的生长过程随合金元素含量的增大而发生变化，非衬底合金元素含量的增大使薄膜和衬底的错配度增大，随薄膜厚度的增大容易产生错配位错以松弛应变。生长模式由小错配度下的二维逐层生长改变为大错配度下的单层加岛状生长、以至岛状生长.例如Si1-xGex在Si（100）衬底上生长时，其生长模式变化过程随x而变，x越小模式变化发生的越缓慢。Ge1-xSiy/Ge（100）的生长模式变化的过程类似，y 愈小模式变化发生的愈缓慢