晶体缺陷及固态相变复习题.docVIP

《晶体缺陷及固态相变》复习资料  PAGE ８ 第一部分：晶体缺陷 晶体缺陷：晶体中原子排列的不规则性及不完整性。 晶体缺陷的种类：点缺陷、线缺陷、面缺陷。 一、点缺陷 定义：缺陷尺寸在三维方向上都很小且与原子尺寸相当的缺陷，称为点缺陷。 1点缺陷的类型：空位、间隙原子、异类原子。 2点缺陷与扩散的关系： 3点缺陷对性能的影响：点缺陷的存在，使得金属的电阻增加，体积膨胀，密度减小，使离子晶体的导电性改善。过饱和点缺陷，如淬火空位、辐照缺陷，还可以提高金属的屈服强度。 4获得过饱和点缺陷的方法：辐照、高温淬火。 线缺陷 1定义：线缺陷在两个方向上尺寸很小，另外一个方向上延伸较长，也称为一维缺陷，如各类位错。 位错：位错是晶体排列的一种特殊组态，晶体中沿某一原子面及某一原子方向发生了某种有规律的错排现象；位错是伯氏矢量不为零的晶体缺陷。 2位错的三种基本类型：刃型位错、螺型位错和混合位错。 它们与柏氏矢量的关系： 刃型位错：柏氏矢量与位错线垂直。 螺型位错：柏氏矢量与位错线平行。 混合位错：柏氏矢量与位错线既不平行也不垂直，而是与位错线相交成任意角度。 3位错的运动形式或方式有哪些？ 位错的基本运动形式是滑移，此外，刃型位错还有攀移，螺型位错还有交滑移。 刃型位错在垂直于滑移面方向的运动称为攀移。 对于螺型位错，由于所有包含位错线的晶面都可成为其滑移而，因此，当某一螺型位错在原滑移面上运动受阻时，有可能从原滑移面转移到与之相交的另一滑移面上去继续滑移，这一过程称为交滑移。 4扭折、割阶的定义；割阶对位错运动有什么影响？ 一个运动的位错线，特别是在受到阻碍的情况下，有可能通过其中一部分线段（n个原子间距）首先进行滑移。若由此形成的曲折线段就在位错的滑移面上时，称为扭折；若该曲折线段垂直于位错的滑移面时，则称为割阶。 扭折与原位错线在同一滑移面上，可随主位错线一道运动，几乎不产生阻力，而且扭折在线张力作用下易于消失。但割阶则与原位错线不在同一滑移面，故除非割阶产生攀移，否则割阶就不能随主位错线一道运动，成为位错运动的障碍，通常称此为割阶硬化。 5单位位错线所受到的滑移力、攀移力、应变能公式（只记公式结果）： 各类位错系数是多少？ 6单位位错与不全位错的基本概念 单位位错：柏氏矢量恰好等于单位点阵矢量的位错。 不全位错：柏氏矢量不等于单位点阵矢量或其整数倍的位错。 7层错与不全位错的关系 不全位错出现于层错区和完整晶体的交界处。 肖克莱不全位错的滑移可引起层错面得扩大或缩小。 弗兰克不全位错的柏氏矢量与层错面垂直。 8扩散与位错 如果扩散元素沿位错管道迁移，所需要的激活能较小，所以扩散速率较高。 在高温下，位错对晶体的总扩散的贡献并不大，只有在较低温度下才能显示出其重要性。 冷变形会增加金属材料的界面和位错密度，也会加速扩散过程的进行。 9第二相粒子与位错的关系，绕过机制，切过机制 绕过机制：位错绕过不易形变粒子，粒子对位错的斥力足够大，运动位错线在粒子前受阻、弯曲。随外加切应力增加，留下位错环，其余位错继续滑移。通常称为奥罗万机制。 切过机制：短程交互作用和长程交互作用。 10汤普森四面体（点、线、面） 如果以 α，β，γ ，8 分别代表与 A ，B ，C ，D 点相对面的，心，把4个面以三角形 ABC 为底展开，得图 3.40(c) 。由图中可见: (1)四面体的4个面即为4个可能的滑移面 :(111) ， (111) ， (111) ， (111)面。 (2) 四面体的6个棱边代表12个晶向，即为面心立方晶体中全位错 12 个可能的柏氏矢量。 (3) 每个面的顶点与其中心的连线代表24个1/6 112 型的滑移矢量，它们相当于面心立方晶体中可能的 24 个肖克莱不全位错的柏氏矢量。 (4）4个顶点到它所对的三角形中点的连线代表8个1/3111型的滑移矢最，它们相当于面心立方晶体中可能有的8个弗兰克不全位错的柏氏矢量。 (5) 4个面中心相连即αβ，αγ，αδ，βγ，γδ，βδ为 1/6110是压杆位错的一种。 11罗麦-柯索尔位错（位错方向） 位错方向[110] 形成于两个{111}面之间的面角上，由三个不全位错和两片层错所构成的位错组态称为“Lomer-Cottrell位错，也称为面角位错。 12位错增殖的5种机制：F-R位错源、双交滑移、单边F-R位错源、刃型位错线部分攀移、空位片塌陷 13位错密度与强度关系（图） 面缺陷 1基本概念与类型，对性能的影响 基本概念：面缺陷，其特征是在一个方向上尺寸很小，另外两个方向上扩展很大，也称为二维缺陷。 类型：外表面和内界面。外表面：固体材料与气体或液体的分界面。内界面：晶界、亚晶界、孪晶界、层错和相