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8-2化学气相沉积
第八章 气相沉积技术;8.2 化学气相沉积(CVD)
化学气相沉积是利用气态物质在固体表面发生化学反应,生成固态沉积物的过程。化学气相沉积的过程可以在常压下进行,也可以在低压下进行。CVD技术是当前获得固态薄膜的方法之一。;与物理气相沉积不同的是:
化学气相沉积沉积粒子来源于化合物的气相分解反应。
是在相当高的温度下,混合气体与基体的表面相互作用,使混合气体中的某些成分分解,并在基体上形成一种金属或化合物的固态薄膜或镀层。;8.2.1 CVD反应过程及一般原理
在反应器内进行的CVD过程,其化学反应是不均匀的,
可在衬底表面或衬底表面以外的空间进行。衬底表面的
大致过程如下:
(1)反应气体向衬底表面扩散。
(2)反应气体分子被吸附于衬底表面。
(3)在表面上进行化学反应、表面移动、成核及膜生长。
(4)生成物从表面解吸。
(5)生成物在表面扩散。
;;;CVD基本条件:
沉积温度下必须有足够高的蒸汽压;
反应生成物除所需沉积物为固态外,其余为气态;
沉积物本身饱和蒸汽压足够低。;8.2.2 CVD反应;;;;二、CVD的应用
1.复合材料制备
CVD法制备的纤维状或晶须状的沉积物在发展复
合材料方面它具有非常大的作用。
如Be、B、Fe、Al2O3、SiO2、SiC、Si3N4、AlN和BN等纤维或晶须增强的Al、Mg、Ti、Ni、Cu及各种树脂类高分子聚合物等的复合材料,以及纤维和晶须增强的各种陶瓷类复合材料。
在陶瓷中加入微米量级的超细晶须,已证明可使复合材料的韧性得到明显的改进。 ;8.2.4 CVD的特点及应用
一、CVD的特点
CVD与其他涂层方法相比,具有如下特点:
(1)设备简单,操作维护方便,灵活性强,既可
制造金属膜、非金属膜,又可按要求制造多种成分的合金、陶瓷和化合物镀层。
通过对多种原料气体的流量调节,能够在相当大的范围内控制产物的组分,从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。
(2)可在常压或低真空状态下工作,镀膜的绕
射性好,形状复杂的工件或工件中的深孔、细孔都能均匀镀膜。 ;(3)由于沉积温度高,涂层与基体之间结合好,这
样,经过 CVD法处理后的工件,即使用在十分恶劣
的加工条件下,涂层也不会脱落。
(4)涂层致密而均匀,并且容易控制其纯度、结构
和晶粒度。
(5)沉积层通常具有柱状晶结构,不耐弯曲。但通
过各种技术对化学反应进行气相扰动,可以得到细
晶粒的等轴沉积层。
该法最大缺点是沉积温度高,一般在700~1100℃
范围内,许多材料都经受不了这样高的温度,使其
用途受到很大的限制。;二、CVD的应用
利用CVD技术,可以沉积出玻璃态薄膜,
也能制出纯度高、结构高度完整的结晶薄
膜,还可沉积纯金属膜、合金膜以及金属间
化合物。
这些新材料由于其特殊的功能已在复合材料、微电子学工艺、半导体光电技术、太阳能利用、光纤通信、超导电技术和保护涂层等许多新技术领域得到了广泛应用。;1.复合材料制备
CVD法制备的纤维状或晶须状的沉积物在发展复
合材料方面它具有非常大的作用。如Be、B、Fe、
Al2O3、SiO2、SiC、Si3N4、AlN和BN等纤维或晶
须增强的Al、Mg、Ti、Ni、Cu及各种树脂类高分子
聚合物等的复合材料,以及纤维和晶须增强的各种
陶瓷类复合材料。
在陶瓷中加入微米量级的超细晶须,已证明可使复合材料的韧性得到明显的改进。 ;2.微电子学工艺
半导体器件,特别是大规模集成电路的制作,其基
本工艺流程都是由外延、掩膜、光刻、扩散和金属
连接等过程组合而成的。其中半导体膜的外延、P—
N结扩散源的形成、介质隔离、扩散掩膜和金属膜的
沉积等是这些工艺的核心步骤。化学气相沉积在制
备这些材料层的过程中逐渐取代了像硅的高温氧化
和高温扩散等旧有工艺,在现代微电子学工艺中占
据了主导地位。化学气相沉积高纯硅的问世使半导
体进入了集成化的新时代。;3.半导体光电技术
半导体光电技术包括半导体光源、光接受、光波
导、集成光路及光导纤维等一系列基础理论和应用
技术的边缘学科。CVD法可以制备半导体激光器、
半导体发光器件、光接受器和光集成光路等。如集
成电路是采用低温气相沉积技制备的,应用氢化
物、金属有机化合物为源的沉积方法,在绝缘的透
明衬底上(如蓝宝石、尖晶石等)通过异质外延生
长Ⅳ族、Ⅲ—Ⅵ族化合物材料及其组合的集成化材
料。 ;4.太阳能利用
利用无机材料的光电转换功能制成太阳能电池是
太阳能利用的一个重要途径。现已试制成功硅、砷
化镓同质结电池以及利用Ⅲ—Ⅴ族、Ⅱ一Ⅵ族等半
导体制成了多种异质结太阳能电池,如 SiO2/Si,
GaAs/GaAlAs等,它
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