GaAs(砷化镓)简介.ppt

砷化镓 GaAs ;;;;20世纪50年代，半导体器件的生产主要采用锗单晶材料，到了60年代，由于硅单晶材料的性能远远超过锗，因而半导体硅得到了广泛的应用，在半导体材料中硅已经占据主导地位。大规模集成电路的制造都是以硅单晶材料为主的，Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体如砷化镓、磷化镓、锑化铟等也越来越受到人们的重视，特别是砷化镓具有硅、锗所不具备的能在高温度频下工作的优良特性，它还有更大的禁带宽度和电子迁移率，适合于制造微波体效应器件、高效红外发光二极管和半导体激光器，因而砷化镓是一种很有发展前途的半导体材料。随着大规模集成电路制造工艺水平的提高，半导体化学的研究领域和对象也将不断地扩展。 ;砷化镓特性;砷化镓基本属性 ;;砷化镓单晶生产技术 ;砷化镓太阳能电池 ;;;砷化镓太阳能充电器,;三结砷化镓太阳能电池片 ;;;砷化镓太阳电池技术的进展与前???;;1　特点 　　GaAs 太阳电池是一种Ⅲ2 Ⅴ族化合物半导体太阳电池,与Si 太阳电池相比,其特点为: a) 光电转换效率高　GaAs 的禁带宽度较Si 为 宽,GaAs 的光谱响应特性和空间太阳光谱匹配能力亦比Si 好,因此, GaAs 太阳电池的光电转换效率高。Si 太阳电池理论效率为23 % ,而单结和多结GaAs 太阳电池的理论效率分别为27 %和50 %。;;;d) 抗辐射性能好　GaAs 为直接禁带材料,少数 载流子寿命较短,在离结几个扩散度外产生的损伤, 对光电流和暗电流均无影响。因此,其抗高能粒子 辐照的性能优于间接禁带的Si 太阳电池。在电子 能量为1 MeV ,通量为1 ×1015 个/ cm2 辐照条件 下,辐照后与辐照前太阳电池输出功率比, GaAs 单 结太阳电池 0. 76 ,GaAs 多结太阳电池 0. 81 ,而 BSFSi 太阳电池仅为0. 70 。;;;;;;;;;;;;;