ITO真空溅射镀膜.ppt

第四章 真空溅射镀膜 ;教学重点：溅射镀膜原理；磁控溅射靶；靶的磁场分布计算；典型镀膜机 ;4.1 溅射技术 ;1）定义： 溅射——用荷能粒子（气体正离子）轰击物体，从而引起物体表面原子从母体中逸出的现象及过程。 被轰击物体处于负电位，故称为“阴极溅射”。 溅射镀膜中，被轰击物体称为“靶”。 2) 理论 蒸发论——动能论，温度论； 溅射论——动量论； 混合论。;3）参数 溅射率 η = 溅射出的靶材原子数 / 入射正离子数 影响因素： ①靶材成分——原子序数大，η大； ②入射正离子种类——惰性气体η大，常用氩气Ar； ④正离子入射角度——70~80°时有最大值；P92 Fig 4-4 ⑤靶材温度——低温时η不变，高温时剧增；P92 Fig 4-5 ;4）特点： ①可控性好，重复性好； ②膜的附着强度高：溅射粒子能量高几~十几eV，对比 蒸发粒子0.几eV； 可形成伪扩散层； 等离子体的清洗和激活基体表面作用； 附着不牢的粒子被清除掉。 ③膜材成分广泛：靶材种类——块体、颗粒、粉体；单质、化合物、混合物； 膜材成分——单质膜、化合物膜、混合物膜、多层膜、反应膜； ④组分基本不变，偏析小，不受熔点限制； ⑤成膜速率比蒸发镀膜低，基片温升高，受杂质气体影响严重。;5）方式： （普通）直流溅射——二级溅射、 三级或四级溅射 （直流）磁控溅射—— 高频溅射——射频溅射 反应溅射—— ? 要点：弹粒子入射——成分 惰性气体Ar+ 来源 气体放电 要求 处于溅射能量阈 低压气体环境（输运过程的要求）;;;;4.2 直流溅射镀膜 ;1）二极溅射 ;;;2）三极（四极）溅射?结构; 阴极、阳极间形成放电，产生等离子体， 其中的正离子轰击低电位的靶（第三极）， 将其溅射沉积在对面的基片上（无电位）。 加稳定性电极（第四极） 改进：放电不依赖阴极的二次电子发射， 正离子、溅射速率由热阴极的发射电流来控制 可控性和重复性好;4.3 （直流）磁控溅射镀膜 ;1）磁控原理：电子在静止电磁场中的运动 ①电子速度：V// —平行于B的速度分量，产生漂移运动； V⊥—??直于B的速度分量，产生回旋运动；合成螺旋运动 回转半径 回转周期 无平行电场时的节距： ;②有平行电场时的节距： B//E，且B、E均匀 B、E反向 电子被加速 电子回旋的螺距增大 B、E同向 电子被减速 电子回旋的螺距减小 ③有正交电场时的运动 B⊥E 且B、E均匀 摆线轨迹（直线运动与圆周运动的合成） 电子在第三轴方向行走，在E方向仅有限高度 摆线轨迹（旋轮线半径） m 式中e ——电子电荷量C；m——电子质量kg； B——磁感应强度T；E——电场强度V/m。 ;应用实例：平面电极——均匀正交电磁场 平面磁控靶 同轴圆柱电极——径向电场轴向磁场 同轴圆柱靶? 磁控的目的： 利用磁场的束缚效应，使电子轨迹加长，使放电可以在较低的电压和气压条件下维持。 磁控溅射的特点： ① 电子利用率高，低气压、低电压下能产生较多正离子——溅射速率高； ② 电子到达基片时是低能状态，升温作用小——基片温度低； ③ 放电集中于靶面； ④ 沉积速率大。;;1）磁控靶 设计要点：①产生均匀正交电磁场，电场⊥，磁场∥。关心水平磁场的强度和分布。 ②磁场形成封闭回路，电子在其中循环飞行。 ③防止非靶材成分的溅射，加屏蔽罩。屏蔽间隙δ＜2re 结构形式:107 Fig4-15 ①圆平面靶 ; ②矩形平面靶 ; ③同轴圆柱靶 ;④S枪（圆锥靶） ;⑤旋转圆柱靶（柱形平面靶） ;⑥特殊结构靶 ;3）工作特性及参数 ;③功率效率=沉积速率（nm / min ）/靶功率密度（W/cm2） 最大功率密度 功率过大会引起靶开裂、升华、熔化。 是限制沉积速率的重要因素；水冷系统的主要设计依据 ;4.4 射频溅射镀膜 ;1）原理： 解决绝缘材料的溅射 A+入射轰击，维持10-7s电位抵消，反转电极 e入射中和，维持10-9s，电荷中和 射频电源：频率13.56MHz 正负半周各在10-7s左右 特点：气体极易被击穿，所以击穿（破裂）电压和放电电压仅为直流溅射 ;2）装置 射频二极溅射—— 射频磁控溅射——二者区别：溅射靶有无磁场 P119，Fig4-32 ? 3）电源 射频源