VLSI-13第十三讲 薄膜淀积(下).ppt

集成电路工艺原理;大纲 ;单晶硅外延要采用图中的卧式反应设备，放置硅片的石墨舟为什么要有倾斜? ;这里界面层厚度?s是x方向平板长度的函数。;因此，支座倾斜可以促使?s(x)沿x变化减小 原理：由于支座倾斜后，气流的流过的截面积下降，导致气流速度的增加，进而导致?s(x)沿x减小和hG的增加。从而用加大hG的方法来补偿沿支座长度方向的气源的耗尽而产生的淀积速率的下降。尤其对质量传输控制的淀积至关重要，如APCVD法外延硅。;外延单晶硅的化学反应式;目前外延常用气源及相应总体化学反应;Two different modes of epitaxy;斜率与激活能Ea成正比;低压化学气相淀积 （LPCVD）;11;增加产率 — 晶片可直插放置许多片（100-200） 工艺对温度灵敏,但是采用温度控制好的热壁式系统可解决温度控制问题 气流耗尽仍是影响均匀性的因素，可以设定温差5～25 ?C，或分段进气;Batch processing：同时100-200片 薄膜厚度均匀性好 可以精确控制薄膜的成份和结构 台阶覆盖性较好 低温淀积过程 淀积速率快 生产效率高 生产成本低;多晶硅淀积方法 LPCVD，主要用硅烷法，即在600-650 ℃温度下，由硅烷热分解而制成，总体化学反应（overall reaction）方程是：SiH4→Si(多晶)+2H2 ;多晶硅的掺杂 气固相扩散 离子注入