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半导体工艺原理与技术绪论

;;;;;;;;;威廉·肖克利: 于1955年建立了世界上第一家半导体公司——肖克利半导体实验室 ;;;;Jack Kilby发明的第一个集成电路;;;;;;;1965年,Gordon Moore提出了一个关于集成电路发展的预测: “The complexity for minimum component cost has increased at a rate of roughly a factor of two per year”. 后来在1975年被修正为: The number of components per IC doubles every 18 - 24 months. “集成电路中的元件数每18~24个月翻一倍。”;;300mm硅片和intel Pentium-IV芯片;集成度增加趋势;线宽变窄趋势;芯片面积增加趋势;掩膜层数增加趋势;缺陷密度下降趋势;价格下降趋势;特征尺寸(Feature Dimension):芯片上的物理尺寸特征。最小特征尺寸也称为关键尺寸(CD:Critical Dimension)。 一般把CD作为定义制造复杂性水平的标准,并照此定义了“技术节点”(technology node)。 随着技术的发展,已无法用统一的一个标准来衡量工艺技术的特征,因此ITRS(The International Technology Roadmap for Semiconductors)2005已不再使用“技术节点”一词。;;ITRS 2005 的预测;;集成电路中的基本组成单元;;;2.电容;;3. 晶体管;;;;;4. MOS管;;;;;;5.CMOS基本单元;双阱CMOS;;;6.BiCMOS基本单元;;;集成电路产业体系基本构成;无制造厂公司(fabless company):只设计芯片,而由其他芯片制造商制造芯片。 代工厂(foundry):仅为其他公司生产芯片,无自己的芯片产品。;2004全球芯片厂商十强;2007全球芯片厂商十强;;;;;;;;;2004年度10大集成电路与分立器件制造企业 ;2006年度10大集成电路与分立器件制造企业 ;2004年度10大封装测试企业 ;2006年度10大封装测试企业 ;2014年中国十大集成电路封装公司排行榜;2004年度10大集成电路设计企业;2006年度10大集成电路设计企业;2013年中国10大IC设计公司销售排名;中国晶圆厂分布;;中国12英寸芯片项目 ;中国拟建的12英寸项目;中国8英寸芯片项目 ;中国在建的8英寸项目 ;;;前道工艺:指从裸晶圆至封装前初测的加工过程--集成电路制造; 技术分类:图形转移技术:光刻、刻蚀、化学机械抛光等; 薄膜生成技术:外延、氧化、CVD、PVD等; 掺杂技术:扩散、离子注入等 后道工艺:指从集成电路制造后的初测至封装出厂前的加工过程 —封装与测试; 技术:划片、封装、测试、老化等; 辅助工艺:指为保证前后道正常进行的一些辅助性工艺技术 技术分类:净化(无尘)厂房技术; 超纯水制备技术:一般自来水~100Ω·cm,去离子水 DIW(deionized water) 18MΩ.cm 高纯气体制备技术:N2 ,99.999%…… 光刻掩膜版制备技术 单晶硅片制造技术 超纯化学试剂制备技术……;学工艺应掌握什么?

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