半导体物理_01基础知识概论.ppt

半 导 体 物 理 (Semiconductor Physics);第一章 半导体中的电子状态;1.2.1 原子的能级和晶体的能带1;1.2.1 原子的能级和晶体的能带2;1.2.1 原子的能级和晶体的能带3;1.2.1 原子的能级和晶体的能带4;1.2.1 原子的能级和晶体的能带5;1.2.2 半导体中电子的状态和能带(数学分析)1;1.2.2 半导体中电子的状态和能带(数学分析)2;波矢k 确定时，E、p、v,均有确定值;3、晶体中电子的状态——周期性势场与单电子近似;3、晶体中电子的状态——运动方程与周期性边界条件;3、晶体中电子的状态——布洛赫定理与波函数的形式;3、晶体中电子的状态——布洛赫定理与波函数的形式;3、晶体中电子的状态——布洛赫定理与波函数的形式;3、晶体中电子的状态——晶体中的电子与自由电子的比较;3、晶体中电子的状态——布里渊区与能带;实线：一维晶体的E~k关系 虚线：自由电子的E(k)~k关系;自由电子;E~ k关系的不连续点对应禁带，在布里渊区边界； E~k关系的连续点对应允带，在布里渊区内部； E(k)是k的周期性函数，且周期就是布里渊区长度，因此只需考虑第一布里渊区(简约布里渊区)，波矢为简约波矢。 E是k的多值函数，需要用En(k)标明是第几个能带。 对有限晶体，根据周期性边界条件 波矢k只能取分立的数值，因此能带并不是绝对连续的。; 上式同样可证明每个布里渊区中有N个k状态。每个k对应于一个能量状态(能级)，每个能带中就有N个能级，因N很大，一个能带中众多的能级可以近似看作是连续的，称为准连续。 由于每一个能级可以容纳两个自旋方向相反的电子，所以每个能带可以容纳2N个电子。;由所给晶体确定其正格子基矢 有正格子基矢确定倒格子基矢 根据倒格子基矢画出倒格点（倒易点阵） 从倒易点阵的原点出发，由远到近依次做出倒格矢 做出倒格矢的垂直平分面 由这些垂直平分面所围成的区域就构成各个布里渊区;二维正方晶格的第一布里渊区 ;三维金刚石结构(面心立方格子)的第一布里渊区 ;E(k)随k周期性变化， E(k)是多值函数，受势场的影响形式复杂;练习题：根据周期性边界条件，证明有N个原子构成的立方晶体，每个布里渊区中有N个k状态。 ;1.2 节知识点;1.3.1 半导体中E(k)与k的关系 有效质量的数学定义;1.3.1 半导体中E(k)与k的关系 有效质量的数学定义; 半导体中电子与自由电子的E(k)~k关系相似，只是半导体中出现的是 mn*，称mn*为能带底电子的有效质量。因能带底附近E(k)E(0)，所以mn* 0。 同样设能带顶部(极大值)在k＝0处，可得到能带顶部附近：;1.3.2 半导体中电子的平均速度;1.3.3 半导体中电子的加速度;1.3.4 有效质量的物理意义——实际的作用;电子在外力 作用下运动;1.3.4 有效质量的物理意义——能带结构的影响;1.3.4 有效质量的物理意义——能带结构的影响;1.3 节知识点; 能带中的电子如何导电？ 导体、半导体和绝缘体的导电机理？ 半导体的导电机构;（2）、有外场：;2、不满带中的电子可以导电;二、导体、半导体和绝缘体的导电机理;三、半导体的导电机构——本征激发;三、半导体的导电机构——本征激发与本征半导体;四、空穴——形成原因和运动特征;四、空穴——概念描述;价带顶部附近电子的加速度为：;不满带：;1.4 节知识点;作 业;1.5 硅、锗、砷化镓的能带结构;一、能带顶和能带底等能量极值点附近的E~k关系2;一、能带顶和能带底等能量极值点附近的E~k关系3;一、能带顶和能带底等能量极值点附近的E~k关系4;二、??际半导体的导带底和价带顶附近的E~k关系;GaAs：导带在布里渊区中心有一个极小值。导带极小值附近的等能面也是球面，电子的有效质量各向同性。;2、价带极大值;2、实际半导体的能带结构特征参数;砷化镓：直接带隙结构 室温下禁带宽度：Eg=1.42eV;以上各种半导体在能带极值附近的能带结构以及有效质量在各个方向的分布情况可以采用回旋共振实验测定;1.5 节知识点;例 题