半导体物理学刘恩科第七版 第1章 半导体中的电子态.ppt

半 导 体 物 理;1.1 半导体的晶格结构和结合性质;2.每个原子最外层价电子为一个s态电子和三个p态电子。在与相邻四个原子结合时，四个共用的电子对完全等价，难以区分出s与p态电子，因而人们提出了“杂化轨道”的概念：一个s和三个p轨道形成了能量相同的sp3杂化轨道。之间的夹角均为109°28 ’。;3. 原字在晶胞中的排列：角顶原子8个、面心原子6个、内部原子4个 （周围情况与角顶、面心原子不同，是相同原子构成的复式晶格）。;金刚石结构的(111)面层包含了套构的原子，形成了双原子层的A层。以双原子层的形式按ABCABC层排列;晶格常数：硅 0.543nm, 锗 0.566nm 密度： Si : 5.00*1022cm-3, Ge: 4.42*1022cm-3 共价键半径： Si : 0.117nm, Ge: 0.122nm.;2.闪锌矿型结构和混合键;堆积方式：III、V族原子构成双原子层堆积，每一个原子层都是一个[111]面， III、V族化合物具??离子性，因而构成一个电偶极层。;3. 纤锌矿型结构;氯化钠型结构结晶;其它类型半导体结构;半导体晶格结构;作业; 1.2 半导体中的电子状态和能带; 能级状态由四个量子数描述： (1)主量子数n (2)角量子数l (3) 磁量子数m (4)自旋量子数ms。 ;玻耳的氢原子理论;当原子相互接近: ?电子壳层间发生交叠（外壳层交叠最多，内壳层交叠较少） ?电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原于转移到相邻的原子上去，因而，电子将可以在整个晶体中运动。这种运动称为电子的共有化运动。; 注意：各原子中相似壳层上的电子才有相同的能量，电子只能在相似壳层间转移。 ;电子可处于两个分裂能级上，为两个原子所共有。 能级的分裂与能级的简并度有关。 例如：2P 能级为三重简并的，可分裂为6个能级;八个原子互相靠近时能级分裂的情况：每个能级分裂为八个相距很近的能级（间距不同、原子壳层不同，原子能级分裂情况均不一样）。; C、能带的形成（能级分裂）;22;★半导体中的能级分裂情况;能带形成的另一种情况;半导体（硅、锗）能带的特点;电子先填充低能级，下面一个能带填满了(满带)，再填上面的能带。 下面一个能带称为满带。上面的带通常是空的，称为导带。;上述分析优点： 注意到孤立原子和晶体内原子的相同之处，可用于定性分析能带的形成原因。;§1.2.2 半导体中的电子状态和能带; 自由电子具有波粒二象性。假设某电子质量为m0，速度为v，则： 1. 粒子性的描述 (经典物理学)： ;2. 波动性的描述 特点：能量不连续变化;将方程(6)代入(1)、(2)得 v = hk /m0 (5) E = h2k2/2m0 (6);二、晶体中的电子状态;布洛赫证明：满足(8)、(9)方程的波函数的解，必具备如下形式：;布洛赫函数的意义;典型的模拟方法;36;3.求解薛定谔方程：布里渊区与能带;a.有禁带（不连续） 禁带出现的位置 E(k)-k关系图与自由电子基本相似。只是在布里渊区边界，即k=n/2a (n为整数)时，能量发生突变，形成一系列允带和禁带. ;晶体电子能带图的一些特点：;d. E是K的多值函数，采取En(k)来标识第n个能带。 e. 每个能带有N个能态，若计入自旋，每个能带可容纳2N个电子。 ;一维周期性的晶格及其布里源区;对于有限的晶体，考虑到边界条件，根据周期性边界条件，波矢K只能取分离值，对边长为L的立方晶体，波矢K的三个分量为：;1.受原子间的相互作用强弱、方式（如共价键、离子键、轨道杂化情况），晶体内存在一系列分裂的能级（带内准连续，带间存禁带）。 2. 晶体中电子只能按照这些能级来进行分布。（即外层电子运动“准自由”，但能量“不太自由”）;三、导体、半导体、绝缘体的能带;半满带情况分析：在外电场作用下，电子从电场中吸收能量，跃迁到未占满的能级，形成电流，起导电作用。这种带称为导带。; a)金属能带：部分占满 b) 能带交叠 c) 半导体：大部分占满； d) 绝缘体：满带;1 导体、绝缘体和半导体能带（ enery band）;绝缘体和半导体能带分析;半导体中的载流子：电子；空穴。 金属中的载流子：电子 空穴：在高温或光照下，价带中的电子被激发到导带，价带中留下一些空位，空位被其他电子占据后又留下空位。在外电场作用下，这些空位也起能导电作用。将这些空的量子状态看作是带正电荷的粒子，称为空穴。;50;§1.3 半导体中的电子运动－有效质量; 1、有效质量的定义; 由于E(0