单元5_IGBT.pptVIP

双极型器件;优点：由于有少数载流子的注入对漂移区电导的调制，其通流能力一般都很高，电流密度约为200~300A/cm2，因此器件尺寸小，价格低。 缺点：除开关速度低外，开关过程中的功率消耗太大。;单极型器件;克服了双极型器件的以上二个缺点，但由于没有少数载流子的电导调制作用，以至于通态电阻Ron较大，通流能力较小。如600V耐压VMOS最大电流密度仅为10A/cm2。;BiMOS器件; IGBT IGBT-绝缘栅双极晶体管;1700V/1200A ， 3300V/1200A IGBT 模块;Powerex CM300DY-24H;4.1 IGBT的结构和工作原理;;硅栅结构IGBT;等效电路;;IGBT的集电极相对于发射极加负电压时，由于P+N结（J1）处于反偏状态，因而不管VDMOS的沟道体中有没有形成沟道，电流都不能在C、E间形成。因此IGBT比VMOS多了一个J1结，因而获得了反向电压阻断能力。反向阻断电压的高低决定于J1结的雪崩击穿电压。;D;D; 作为一个虚拟达林顿电路末级，PNP管从不进入深饱和区，它的电压降比处于深饱和区的同样PNP管要高。然而特别应该指出的是：一个IGBT发射极覆盖芯片的整个面积，因此它的注射效率和通态压降比同样尺寸的双极晶体管要优越得多。 ;对于已正向导通的IGBT，如果想令其转入关断状态，只须让VG=0即可，可以通过将栅极与发射极短路来实现。;D;IGBT的擎住（门插销）效应;;IGBT按缓冲区的有无来分类，缓冲区是介于P+发射区和N-飘移区之间的N+层。无缓冲区者称为对称型IGBT，有缓冲区者称为非对称型IGBT。因为结构不同，因而特性也不同。非对称型IGBT由于存在N+区，反向阻断能力弱，但其正向压降低、关断时间短、关断时尾部电流小；与此相反，对称型IGBT具有正反向阻断能力，其他特性却不及非对称型IGBT。目前商品化的IGBT单管或模块大部分是非对称型IGBT。;;双载流子参与导电;由N-硅通过扩散形成正面的P区和N+发射区，背面通过离子注入形成薄且浓度不高的P区； 晶格较完整，硅片总厚度较薄（约100um）但阻断电压的高阻N-较厚，它的穿通电压高于雪崩击穿电压； 开关速度快（C区即P区浓度不高； 成本低（没有厚衬底高阻外延工艺）；; PT-IGBT结构剖面示意图;硅片直接键合制成SDB-IGBT（硅径直的结合-IGBT);;当MOSFET的导电沟道充分开启，IGBT的集电极电流主要由钉二极管部份决定，其通态伏安特性为指数函数，而VMOS和GTR皆为线性关系。因此，在同样的耐压下，使用IGBT比使用VMOS和GTR更容易通过较大电流，获得更大的功率输出。如对于600V等级的器件，IGBT能够承受的最大电流密度一般是VMOS的20倍，是GTR的5倍左右。;由于IGBT中的电导调制效应的影响，PT型IGBT的饱和压降，在小电流区域具有负温度系数，在大电流区域具有正温度系数。但NPT型IGBT中，电导调制效应的影响没有PT型IGBT强，因此NPT型IGBT具有正温度系数，适应于并联使用。;转移特性 由图可知，IGBT电流密度较大，通态电压的温度系数在小电流范围内为负，大电流范围内为正，其值约为1.4倍/100℃。;由于MOSFET和PNP管在这里是达林顿接法，其电流不会像MOSFET那样从零伏开始上升，而是存在着PNP晶体管VBE所需要的偏置电压。一旦电导调制效应发生后，其动态电阻与MOSFET相比则非常小。;（2）动态特性（开关特性）; 与MOSFET的相似，因为开通过程中IGBT在大部分时间作为MOSFET运行 开通延迟时间td(在) ——从uGE上升至其幅值10%的时刻，到iC上升至10% ICM????? 电流上升时间tr ——iC从10%ICM上升至90%ICM所需时间 开通时间吨——开通延迟时间与电流上升时间之和 uCE的下降过程分为tfv1和tfv2两段。tfv1——IGBT中MOSFET单独工作的电压下降过程；tfv2——MOSFET和PNP晶体管同时工作的电压下降过程;关断过程;从器件结构来看，IGBT器件的总电流既含有来自沟道的MOS分量，又含有以PN结注入的双极分量，即 IIGBT=IMOS+IBJT 当沟道消失，MOS分量的电子电流IMOS迅速减为零，而由于正向导通时，存在N-基区中的少子浓度较大，故IBJT不能很快为零，必须经过类似双极器件关断的复合过程。复合的快慢主要取决于载流子的寿命。;陡降区;IGBT的关断时间有钱人定义为电压为零到IC下降到0.1倍稳态值时所经历的时间。 有钱人=td+tf tf=tf1+tf2 Tf1与放电电阻RG有关， RG越大，IC的初期衰减速度也就越慢。可利用RG来调整关断过程中的di/d