微电子与集成电路设计2.pptVIP

外延生长 氧化 掺杂 淀积 刻蚀 光刻 钝化 ;集成电路的制造过程：前道工序和后道工序 前道工序：原始晶片到中测，包括： 图形转换技术（光刻、刻蚀等） 薄膜制备技术（外延、氧化、淀积等） 掺杂技术（扩散和离子注入） 后道工序：中测到出厂 ;*;*;;;*;;;良好的化学稳定性和电绝缘性 可作：MOS管的栅氧化层、器件的保护层、绝缘材料、电容器的介质等 对某些杂质起屏蔽作用 可作：选择性扩散掩蔽层 ;除了作为栅的绝缘材料外，二氧化硅在很多制造工序中可以作为保护层。在器件之间的区域，也可以生成一层称为“场氧”（FOX）的厚SiO2 层，使后面的工序可以在其上制作互连线。;在衬底材料上掺入五价磷或三价硼，以改变半导体材料的电性能。掺杂过程是由硅的表面向体内作用的。目前，有两种掺杂方式：扩散和离子注入。;扩散炉与氧化炉基本相同，只是将要掺入的杂质如P或B的源放入炉管内。 扩散分为两步： STEP1 预淀积：将浓度很高的一种杂质元素P或B淀积在硅片表面。 STEP2 推进：在高温、高压下，使硅片表面的杂质扩散到硅片内部。 只要控制预淀积后硅片表面浅层的P原子浓度、扩散温度、扩散时间等三个因素就可以决定扩散深度及浓度。;*;*;离子注入的分布有以下两个特点： 1．离子注入的分布曲线形状（Rp，бp），只与离子的初始能量E0有关。并杂质浓度最大的地方不是在硅的表面，X＝0处，而是在X＝Rp处。 2．离子注入最大值Nmax与注入剂量NT有关。 E0与NT都是可以控制的参数。因此，离子注入方法可以精确地控制掺杂区域的浓度及深度。 ;淀积工艺主要用于在硅片表面上淀积一层材料，如金属铝、多晶硅及磷硅玻璃PSG等。 1、金属化工艺 淀积铝也称为金属化工艺，它是在真空设备中进行的。在硅片的表面形成一层铝膜。 2、淀积多晶硅 淀积多晶硅一般采用化学汽相淀积（LPCVD）的方法。利用化学反应在硅片上生长多晶硅薄膜。 适当控制压力、温度并引入反应的蒸汽，经过足够长的时间，便可在硅表面淀积一层高纯度的多晶硅。 3、淀积PGS与淀积多晶硅相似，只是用不同的化学反应过程。;*;*;*;*;*;光刻工艺是完成在整个??片上进行开窗的工作。 到目前为止所讨论的各基本半导体生产工艺，除淀积外都只在硅片上被选中的局部面积上进行．它们的选取是由光刻工艺来实现的．光刻指的是将掩模版或计算机数据库中存放的图像复制到硅片上的整个过程． 光刻次数越多，表示工艺越复杂 光刻所能加工的线条越细，表示工艺水平越高 ;光刻类似于照相。 3个主要步骤：曝光、显影、刻蚀 3种设备和器材：光刻胶、掩模版和光刻机 掩膜版和光刻胶： 光刻胶：正胶和负胶 ;光刻过程如下： 1．涂光刻胶 2．掩膜对准 3．曝光 4．显影 5．刻蚀：采用干法刻蚀（Ery Eatching） 6．去胶：化学方法及干法去胶 (1)丙酮中，然后用无水乙醇 (2)发烟硝酸 (3)等离子体的干法刻蚀技术 ;*;;;Deposit a Layer of Silicon Dioxide;A “Mask” Layer;Spin a Photoresist Layer（光刻胶）;;;;;;;;;*;;;*;;;;;;;;;;在集成电路制作好以后，为了防止外部杂质，如潮气、腐蚀性气体、灰尘侵入硅片，通常在硅片表面加上一层保护膜，称为钝化。 目前，广泛采用的是氮化硅做保护膜。;第4章 集成电路器件工艺;CMOS是将NMOS器件和PMOS器件同时制作在同一硅衬底上。 三种以硅为衬底的制造CMOS IC的基本方法：1）N阱硅栅CMOS工艺；2）P阱硅栅CMOS工艺；3）双阱硅栅CMOS工艺。 ;1970年前，标准的MOS工艺是铝栅P沟道; 制造源、漏极与制造栅极采用两次掩膜步骤不容易对齐。这好比彩色印刷中，各种颜色套印一样，不容易对齐。若对不齐，彩色图象就很难看。在MOS工艺中，不对齐的问题，不是图案难看的问题，也不仅仅是所构造的晶体管尺寸有误差、参数有误差的问题，而是可能引起沟道中断，无法形成沟道，无法做好晶体管的问题。;栅极做得长，同S、D重叠一部分;将两次MASK步骤合为一次。让D，S和G三个区域一次成形。这种方法被称为自对准技术。;1970年，出现了硅栅工艺(采用了自对准技术）。 多晶硅Polysilicon， 原是绝缘体，经过重扩散，增加了载流子，可以变为导体，用作电极和电极引线。 在硅栅工艺中，S，D，G是一次掩膜步骤形成的。先利用光阻胶保护，刻出栅极，再以多晶硅为掩膜，刻出S，D区域。那时的多晶硅还是绝缘体，或非良导体。经过扩散，杂质不仅进入硅中，形成了S和D，还进入多晶硅，使它成为导电的栅极和栅极引线。;*;自对准的，它无需重叠设计，减小了电容，提高了速度。 无需重叠设计，减小了栅