微电子与集成电路设计8.pptVIP

CMOS逻辑电路 ;对于时序逻辑电路，在任意给定时刻的输出值不仅与该时刻的输入值有关，而且与输入的历史或以前电路的工作状态有关。 计数器、寄存器和随机访问存储器等都是时序逻辑电路。 无论何种逻辑电路，都可以由简单的逻辑门电路组成。 ;*;*;*;*;*;*; 若NAND2,VTn=|VTP|，要求两输入同时变化时VTH=VDD／2时，可得到 βn＝4βp ;需要说明，N输入与非门要求N支MOS管串联工作，这使得器件的宽长比W/L减小了N倍，同时衬底效应也随之增大。在各个输入电平不同组合时逻辑阈值的差别也更为显著。因此在实际设计中，输入端一般不超过四个，多输入端应用时可通过逻辑转换来实现。 ;*;*;*;*;*;CMOS倒相器设计;CMOS倒相器设计;等效倒相器设计方法;;等效倒相器中（W/L） =X；（W/L） =Y;将与非门中的N个串联NMOS管等效为倒相器中的NMOS管，将N个并联的PMOS管等效为倒相器中的PMOS管。 根据频率要求和有关参数计算等效倒相器NMOS和PMOS的宽长比。 NMOS管为串联结构，为保持下降时间不变，各NMOS管的等效电阻必须缩小N倍，即它们的宽长比必须是倒相器中NMOS管宽长比的N倍。 为保证在只有一个PMOS晶体管导通的情况下，仍能获得所需的上升时间，要求各PMOS管的宽长比与倒相器中PMOS管相同。;;;AOI逻辑门和OAI逻辑门 ;AOI逻辑门;;;*; CMOS传输门 ;在电路设计中，CMOS传输门最基本的用途是作为双向开关：导通电阻不超过数百欧姆；截止电阻却可达千兆欧姆以上。这时传输信号的损失很小，是一种很好的无触点开关。 在讨论CMOS传输门的特性前，我们先讨论NMOS及PMOS单管作为传输门的特点。 ;NMOS 传输门;对于NMOS管有: VDSn=VIN-Vout =VDD-Vout VGSn=VDD-Vout=VDSn;再设Cout的初始电压为高电平（假设为VDD)，晶体管的栅压VC=VDD使传输门导通，t=t1时输入端出现一个幅度由VDD到0V的阶跃。 ;PMOS 传输门;CMOS传输门特性分析;;;;;;1、门电 路的噪声容限是指 。 （ ） A．门电路的低电平噪声容限。 B．门电路的高电平噪声容限。 C．门电路的低电平噪声容限和高电平噪声容限中的最小值。 D．门电路的低电平噪声容限和高电平噪声容限中的最大值。 2、构成反相器的NMOS管、PMOS管的尺寸如下，其中 所得到的反相器的阈值电 压VTH 最接近1/2VDD。（ ） A．NMOS：L=1μm，W=4μm PMOS：L=1μm，W=4μm B．NMOS：L=1μm，W=4μm PMOS：L=1μm，W=10μm C．NMOS：L=1μm，W=10μm PMOS：L=1μm，W=10μm D．NMOS：L=1μm，W=10μm PMOS：L=1μm，W=4μm 3、在CMOS数字电路中， 是当成开关来使用的。 （ ） A．双极晶体管 B．MOS晶体管 C．双型晶体管和MOS晶体管 D．电子管 4、当CMOS倒相器输出为低电平时，NMOS 管工作在____ _ 状态下, PMOS管工作在___ ___ 状态下。 （ ） A．截止，线性 B．截止，饱和 C．线性，截止 D．饱和，截止