微米MOS与MOSFET.pptx

微米MOS与 MOS场效应晶体管;言;O;引言;文献1;文献1-p沟道增强型MOSFET;文献1;1.理想的MOS结构及其表面电荷区;基本结构： 铝栅N沟道MOS场效应晶体管 增强型与耗尽型： 一般增强型。 增强型：原始结构中无沟道。 耗尽型：在制作为成品之后，已存在导电沟道。 N沟增强型：依靠离子注入技术和清洁氧化物技术。早期的N沟道的原因是氧化物中正电荷的作用，类似VG作用，产生导电沟道。 ;工作原理： 以N沟道增强为例 栅上施加+VG +VG作用感生N型沟道（耗尽－展宽－反型） 在VDS的作用下出现漏电流IDS 特性曲线： MOS有开启电压VT 当VGVT时，才能建立沟道。;对理想的MOS结构应满足以下： 绝缘体足够好，电流不从栅流向半导体，没有电流时，整个MOS处于热平衡态； 在氧化物及氧化物半导体界面均不存在电荷； 半导体与金属的功函数差为零。 以上三点假设为讨论MOS整个系统提供方便，对于MOS电容同样有此假设。 理想MOS电容： 把MOS结构看作电容器，SiO2为介质层，当施加-VG时，就感生电荷密度为QS，金属栅上 ;理想MOS结构中电场分布: VG为外加栅压； 右图为VG在三层中的情况； VG=VO+ψS VO 为跨越氧化层电势； ΨS 为表面势。 表面势: 在MOS结构中，VG在半导体表面层深入一定的深度，电势也逐渐减至零。 电场的降低使电势相应的变化， ，这种在表面产生一个电势差，即表面势。 ;载流子的积累： 当栅上施加-VG ，这种形成负的表面势——能带向上弯曲； EV向上与Ef更接近，说明空穴浓度增加； 由载流子浓度式： ;载流子的耗尽： 当栅上施加电压+VG(正表面势)，产生附加能-qψs。 半导体表面处能带将会向下弯曲， EC-qψs； 由于能带向下弯曲，Ei–Ef值减少，可使半导体表面载流子空穴减少至零，表面载流子降至零的情况，称之为“载流子耗尽”； 表面的耗尽使负的受主离子呈现半导体表面(-qNa)，在表面处耗尽层宽度为Xd，可采用PN结耗尽层计算公式； 表面电荷：-QS=-qNaXd 载流子耗尽能带图： ;载流子的反型（半导体表面反型） 当栅上施加较大电压+VG（正表面势），弯曲更明显。 Ei小于Ef，可使半导体表面处变成n型半导体能带结构，称之为反型－反型层。 感生PN结（感生沟道） 当表面反型为N型，体内为P型，构成感生PN结； 由于感生的N区是MOS晶体管的沟区，又称此沟区为MOS感生沟道； 此感生的PN结，由于N区的浓度比半导体内多子浓度还要大得多，称此为强反型； 强反型时的感生PN结，类似半导体N+/P结，即N型高掺杂的单边突变结，因此有关计算可用单边突变结公式。 ;弱反型 Ef＞Ei出现反型后，表面的电子浓度ns仍小于体内的空穴浓度，ns Pp0为弱反型 强反型 Ef＞Ei在半导体表面，能带弯曲更多，若体内Ei-Ef=qφf，在表面光的表面势ψsi≥2φf为强反型。 此时半导体表面的电子浓度，ns将大于体内载流子浓度，即为强反型。 ;临界强反型条件的推导 对半导体表面少子公式 当强反型时 ψs=ψsi 强反型发生时 ns=Pp0 或 （1） 对于P型硅体内空穴浓度 （2） 比较（1）（2）式， ∴ 临界强反型条件式 ;衬底浓度对强反型的影响 ;强反型后，半导体分为三层：反型层＋耗尽层＋体内 耗尽近似适用MOS结构的耗尽层，即可直接用单边突变结的耗尽层公式，可采用泊松方程求解。 PN结的半导体电势分布： ;1-5.强反型之后的MOS;2. MOS电容及C-V曲线;外加电压的作用VG， VO为降落在绝缘层上电压 φS为半导体上的电压降（表面势） VG与半导体表面参量QS，φS关系 MOS为理想结构，绝缘层内电场均匀分布，以ε0表示 系统单位面积的微分电容 微分电容C与外加偏压VG的关系称为MOS系统的电容—电压特性。 ;若令 则 CO=绝缘层单位面积上的电容 CS=半导体表面空间电荷区单位面积电容 C/CO称为系统的归一化电容。 ;2-2.MOS电容的分阶段解释;耗尽区（VG0）CD段 氧化层电容 ，代入