技师选择(过时版本,可以借鉴).docx

一、选择题（每题有4个选项，其中只有1个是正确的，请将正确的选项号填入括号内） 2. AA001 根据GB 12212《技术制图焊接符号的尺寸、比例及简化表示方法》 规定，在图中简易绘制焊缝时，采用的是（ ）。 (A)端面视图 (B)剖视图 (C)剖面图 （D)轴测图 7. AA003在焊接装配图上对焊接结构的标注都是统一的，但不规定（ ）。 (A)焊接方法 （B)焊缝符号 （C)焊接方法代号 （D)装配焊接顺序 8. AA003检验角焊缝表面缺陷的方法不包括（ ）。 (A)磁粉探伤 （B)着色探伤 （C)荧光探伤 （D)超声波探伤 13. AA005 正圆锥台最常用的展开方法是（ ）。 (A)放射线法和计算法 （B)平行线法和放射线法 (C)三角形法和计算法 （D)平行线法和计算法 14.AA005将90℃焊接弯头展开放样时，应尽量保证弯头内侧焊缝之间的距离不要小于( )。 (A) 50 mm (B) 60 mm (C) 75 mm (D) 80 mm 16. AA006 钣金制品下料前需要画出（ ）。 (A)切割线 （B)相贯线 （C)素线 （D)母线 17. ΑΑ006在管体上画素线时，可将直线度很好的（ ）置于管体上，并使之全面接触，画出管体素线。 (Α)角钢或槽钢 （Β)工字梁 （C)钢板尺 （D)小直径钢管 18. ΑΑ006不锈钢厚件下料时，一般采用（ ）。 (Α)氧乙炔焰切割 （Β)等离子弧切割 (C)手工剪切 （D)液化石油气切割 20. AB00l 半导体中电流大小是电子流与空穴流的（ ）。 (A)乘积 (B)商 （C)代数和 （D)差 23. ΑΒ002 Ρ型半导体是在半导体中掺入（ ）后，所获得的半导体。 (Α) =价元素 （Β)三价元素 （C)四价元素 （D)五价元素 24. ΑΒ002在ΡΝ结的两侧是（ ）。 (A) Ρ区带负电，Ν区带正电 （Β) Ρ区带正电，Ν区带负电 (C) Ρ区和Ν区都带正电 （D) Ρ区和Ν区都带负电 25. ΑΒ003 二极管的图形符号是（ ）。 3. AA001 在表示焊缝端面的视图中，一般用（ ）绘出焊缝的轮廓。 (A)细实线 （B)点划线 （C)粗实线 (D)长点划线 32. AB005晶体三极管有3个导电区，其中基区与发射区之间的PN结被称为（ ）。 (A)集电结 （B)发射结 （C)导电结 （D)放大结 34. AB006 NPN型三极管的图形符号是（ A）。 35. AB006晶体三极管是由（ ）PN结构成的一种半导体器件。 (A) 3 个 （B) 4 个 (C) 2 个 (D) 5 ??? 36. AB006在晶体三极管中，通常用Ie表示发射极电流，Ib表示基极电流，Ic表示集电极电流，它们三者之间的关系是（ ）。 (A) Ib = Ie+ Ic (Β) Ie = Ib + Ic (C) Ie =Ib/Ic (D) Ie=Ib?Ic 37. AB007为了保证人身安全，要将用电设备保护接零，目的是为了（ ）。 (A)电气设备的正常工作 （B)防静电 (C)防雷击 （D)人身和设备安全 38. AB007将电气设备和用电装置的金属外壳与（ ）相接叫接零。 (A)接地装置 (B)导线 （C)系统零线 （D)大地 39. AB007将电气设备和用电装置保护接地是指电网的中性点（ ）。 (A)接地且设备外壳接地 （B)不接地，设备外壳接地 (C)接地，设备外壳接零 （D)不接地，设备外壳接零 40. AB008选用晶闸管时，其额定电压值应比实际工作时的最大电压值大（ ）以上。 (A) 倍 （B) 2 倍 （C) 3倍 （D) 倍 41. AB008在晶闸管整流电路中，输出电压随晶闸管控制角度的变大而（ ）。 (A)不变 (B)任意变化 （C)变大 （D)变小 42. AB008晶闸管单相整流电路电阻负载的最大移相范围是( ）。 (A) 360° (B) 210° (C) 180° (D) 120° 43. AB009双向可控硅完全可以代替两个（ ）的普通可控硅。 (A)正串联 (B)正并联 （C)反串联 （D)反并联 44. AB009 选择双向可控硅时，其额定电流应等于每个反并联普通可控硅额定电流的( )。 (A)l 倍 （B)2 倍 （C)2.5 倍 （D)4 倍 45. AB009可控硅触发电路不该触发时，其触发回路电压应低于（ ）。 (A) 0. 15～0. 25 V (B) 0. 3～0. 4 V (C) 0. 35～0.45 V (D) 0. 5～1.0 V 10. AA004任何形状的可展物体都可以用（ ）进行展开。 (A)平行线法 （B)三角形法 （C)放射线法 （D)