第二章--逻辑门电路基础(介绍).pptVIP

第二章 逻辑门电路基础;作 业;本章主要内容;第一节 二极管、三极管的开关特性;5;（二）二极管的动态开关特性;5;产生反向恢复过程的原因：电荷存储效应 反向恢复时间tre就是存储电荷消散所需要的时间。;2. 对输入信号ui的要求 输入信号ui的负半周的宽度应大于tre ，这样二极管才具有单向导电性。若小于，二极管还没有到达截止状态，就又必须随输入脉冲而导通，从而失去单向导电性。 输入信号ui的正半周的宽度要求比较低。 输入信号ui的频率不可太高，由tre时间决定。;（三）二极管的近似直流等效电路;二、双极型三极管的开关特性 （一）双极型三极管的静态开关特性 （二）双极型三极管的动态开关特性 ;（一）双极型三极管的静态开关特性 判断三极管工作状态的解题思路： （1）把三极管从电路中拿走，在此电路拓扑结构下求三极管 的发射结电压，若发射结反偏或零偏或小于死区电压值，则三 极管截止。若发射结正偏，则三极管可能处于放大状态或处于 饱和状态，需要进一步判断。进入步骤（2）。 （2）把三极管放入电路中，电路的拓扑结构回到从前。假设 三极管处于临界饱和状态（三极管既可以认为是处于饱和状态 也可以认为是处于放大状态，在放大区和饱和区的交界区域， 此时三极管既有饱和状态时的特征UCES =0.3V，又有放大状态 时的特征IC=?IB），求此时三极管的集电极临界饱和电流 ICS ，进而求出基极临界饱和电流IBS 。集电极临界饱和电流ICS 是三极管的集电极可能流过的最大电流。 （3）在原始电路拓扑结构基础上，求出三极管的基极支路中 实际流动的电流iB。 （4）比较iB和IBS的大小： 若iB IBS（或者 ? iB ICS），则三极管处于饱和状态。 若iB IBS（或者 ? iB ICS），则三极管处于放大状态。;例2-1 判断图电路中三极管的状态，其中Rb=2k，RC=2k，VCC=12V，?=50。;例2-2 电路及参数如图所示，三极管的UBE=0.7V，β＝60，输入电压ui取值3V和-2V。 （1）当ui＝3V时判断三极管的状态，并求出iC和uo的值。 （2）当ui＝-2V时判断三极管的状态，并求出iC和uo的值。;5;（2）ui＝-2V;NPN型三极管三种工作状态的特点;（二）??极型三极管的动态开关特性;（1）延迟时间td—— 从输入信号vi正跳变的 瞬间开 始，到集电极电流iC上升到0.1ICS所需的时间 （2）上升时间tr——集电极电流从0.1ICS上升到0.9ICS 所需的时间。 （3）存储时间ts——从输入信号vi下跳变的瞬间开 始，到集电极电流iC下降到0.9ICS所需的时间。 （4）下降时间tf——集电极电流从0.9ICS下降到0.1ICS 所需的时间。 ;对输入脉冲的要求;（三）三极管的近似直流等效电路;三、MOS管的开关特性;MOS管相当于一个由uGS控制的无触点开关。;第二节 二极管逻辑门电路;正逻辑体制和负逻辑体制;一、正与门电路;正逻辑体制;;二、正或门电路;正逻辑体制;三、非门电路; 二极管逻辑门电路，电路结构简单，简单的串联连接就可以实现更复杂的逻辑运算，但是这些电路的输出电阻大，带载能力差，开关性能不理想，所以引入TTL逻辑门电路。;第三节 TTL逻辑门电路;一、标准生产工艺的TTL非门的工作原理;5;5;（三）标准生产工艺的TTL非门的电路结构特点;二、TTL非门的电压传输特性曲线和电路参数;（二）从电压传输特性曲线上可以得出的电路参数;输入高电平噪声容限 最大允许负向干扰电压 VNH＝V OH（min）-VON ＝V OH（min）- V IH（min） ＝2.4V-2.0V＝0.4V。;三、TTL非门输入特性和从其上可以得出的参数;1．输入低电平电流IIL;2．输入高电平电流IIH;四、TTL非门的输入负载特性和从其上可以得出的参数;1．关门电阻ROFF;五、TTL非门的输出负载特性和从其上可以得出的参数;2．最大输出低电平电流I OL（max);;2．最大输出高电平电流I OH（max）;（三）扇出系数 一般NOL≠NOH，常取两者中的较小 值作为门电路的扇出系数，用NO表示。;六、传输延迟时间;七、功率损耗（功耗）PD和功耗-延时积DP ;2. 延时?功耗积 ;小 结;TTL门电路芯片的封装;（一）TTL正与非门;（二）TTL正或非门;（三）TTL正与或非门;（四）TTL异或门;九、集电极开路（OC）的TTL门电路;（二）集电极开路的TTL门电路;（三）集电极开路的TTL门电路可以实现线与运算;外接上拉电阻值的计算方法 ;OC门上拉电阻最小值的计算;特别提醒：