单元1半导体基础教程方案.pptVIP

单元1 半导体器件的理论基础;1.1 半导体基础;(2)具有负的温度系数，即电阻一般随温度上升而下降；金属的电阻随温度上升而上升。;(5)具有光敏性，用适当的光照后材料后电阻率会发生变化，产生光电导；;;二、半导体与金属中的载流子;半导体中的载流子有电子和空穴;本征半导体：;在室温（T=300K）下： ni （Ge）≌2.4×1013cm-3 ni （Si） ≌1.5×1010cm-3 ni （GaAs） ≌1.6×106cm-3;本征载流子浓度和样品温度的关系;杂质半导体： 本征半导体内掺入微量的杂质，使半导体的导电能力显著变化，这种半导体称为杂质半导体;多数载流子： P型半导体中的空穴、 N型半导体中的电子称为多数载流子 少数载流子： P型半导体中的电子、 N型半导体中的空穴称为多数载流子;杂质半导体中的载流子来源于：本征激发和杂质电离;n型Si中电子浓度n与温度T的关系：;半导体导电具有热敏性，因此器件都有一定的工作温度 ;1.2 PN结;;合金法——形成突变结，杂质浓度、掺杂厚度不易控制，早期电力半导体器件采用 扩散工艺——形成缓变结，大功率电子器件采用 离子注入 ——最高注入深度只有20um，只在电力半导体器件制造业中小范围使用 外延生长——容易获得理想的突变结，但生长层越厚，晶体结构的完美性越不易保证，对衬底表面要求较高，因而在电力器件，特别是高耐压的器件制造工艺中较少采用，但在功率集成电路和一些新型的电力器件制造工艺中则被普遍采用，如快恢复二极管。;2. PN结的单向导电性;3. PN结的穿通;空间电荷区;4. PN结的反向击穿;雪崩击穿 齐纳击穿 热击穿; 雪崩击穿;击穿机理： 反向电压VR↑—空间电荷区内电场强度↑ — 载流子漂移运动的动能↑—与晶体原子发生碰撞使之电离 — 空间电荷层载流子浓度↑ （数目倍增）—反向电流IR ↑ — 单向导电性遭到破坏（击穿）; 雪崩击穿通常发生在空间电荷区较宽的轻掺杂一侧，对于单边突变结，雪崩击穿电压UB随着轻掺杂区的杂质浓度的升高而下降。如硅P+N结的雪崩击穿电压： UB=1.69×1018N-3/4;2、齐纳击穿（隧道击穿）;特点：;雪崩击穿和隧道击穿的主要区别;3、热击穿;5、PN结的热效应;Temperature Effects; PN结的反向电流会随着结温的上升而增大。 温度升高还会使得PN结的雪崩击穿电压UB提高。;6、PN结的电容效应;1、势垒电容（CT） ： PN结外加电压变化—空间电荷层宽度变化—PN结空间电荷层电荷量变化—电容效应 势垒电容在外加电压变化时才起作用，外加电压频率越高，势垒电容的作用越显著。势垒电容的大小与PN结截面积成正比，与阻挡层的厚度成反比 ;2、扩散电容CD： PN结耗尽层外扩散长度内存储的电荷数，随外加电压变化，正向电流越大，存储的电荷越多。亦表现出电容效应。称为扩散电容 ;3、CT、CD随电压在CJ中所占的比例： 正向偏置条件下，当正电压较低时，扩散运动较弱，势垒电容占主要成份；正向电压较高时，扩散运动加剧，使扩散电容按指数规律上升，成为PN结的主要成份。 反向偏置状态下，因扩散运动被抑制，因而表现出较小的扩散电容，因此PN结电容以势垒电容为主。;C;??P区向N区注入空穴，在N区形成少数载流子积累，与N区的电子复合而形成少子浓度梯度，随着正向电流的上升，少数载流子的积累增多，少子浓度梯度变缓。少子空穴浓度分布在大部分高阻N区。因为注入的少子浓度远高于N区的平衡少子浓度，因而使得N区的电阻率下降，电导增加。;;;在开态时，流过负载的稳态电流为I1 ; 把二极管作为开关使用时，若回路处于开态，在“开关”（即二极管）上有微小压降；当回路处于关态时，在回路中有微小电流，这与一般的机械开关有所不同。;LP;存储时间ts：反向电流基本不变 下降时间tf：电流由IR降至0.1IR所经历的时间 反向恢复时间：toff= ts + tf;设由P+区通过空间电荷区注入N区的空穴数目在时刻t为NP（t），单位时间内因复合而在N区消失的空穴数在时刻t时为NP（t）/τp，而单位时间内积累在N区中的空穴数目在时刻t时则可用NP（t）随时间改变的微分速率d NP（t）/dt来表示。;存储时间 t s主要有两个因素决定 一是存储区少数载流子寿命。 二是正向注入电流和反向抽取电流的相对大小。;提高PN结开关速度的途径： 一、从电流角度考虑，可以减小正向注入电流和增大抽取电流（即初始反向电流 ）IR。 二、从结构角度考虑，就是降低少数载流子的寿命。器件制