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集成电路设计技术与工具;主 要 内 容;集成电路设计与九天EDA工具应用第1章 集成电路设计导论;集成电路;集成电路芯片显微照片;各种封装好的集成电路;1.1 集成电路的发展;1.1 集成电路的发展 ;器件结构类型
集成度
使用的基片材料
电路的功能
应用领域;按器件结构类型分类;集成度:每块集成电路芯片中包含的元器件数目;单片集成电路:
它是指电路中所有的元器件都制作在同一块半导体基片上的集成电路
在半导体集成电路中最常用的半导体材料是硅,除此之外还有GaAs等
混合集成电路:
厚膜集成电路
薄膜集成电路;数字集成电路(Digital IC):
它是指处理数字信号的集成电路,即采用二进制方式进行数字计算和逻辑函数运算的一类集成电路。
模拟集成电路(Analog IC):
它是指处理模拟信号(连续变化的信号)的集成电路,通常又可分为线性集成电路和非线性集成电路 :
线性集成电路:又叫做放大集成电路,如运算放大器、电压比较器、跟随器等。
非线性集成电路:如振荡器、定时器等电路。
数模混合集成电路(Digital - Analog IC) :
例如数模(D/A)转换器和模数(A/D)转换器等。;标准通用集成电路:
通用集成电路是指不同厂家都在同时生产的用量极大的标准系列产品。这类产品往往集成度不高,然而社会需求量大,通用性强。
专用集成电路:
根据某种电子设备中特定的技术要求而专门设计的集成电路简称ASIC,其特点是集成度较高功能较多,功耗较小,封装形式多样。;“自底向上”(Bottom-up)
“自底向上”的设计路线,即自工艺开始,先进行单元设计,在精心设计好各单元后逐步向上进行功能块、子系统设计直至最终完成整个系统设计。在模拟IC和较简单的数字IC设计中,大多仍采用“自底向上”的设计方法 。
“自顶向下”(Top-down)
其设计步骤与“自底向上”步骤相反。设计者首先进行行为
设计;其次进行结构设计;接着把各子单元转换成逻辑图
或电路图;最后将电路图转换成版图。;VLSI数字IC的设计流图 ;全定制方法(Full-Custom Design Approach)
半定制方法(Semi-Custom Design Approach)
;全定制IC:硅片没有经过加工,其各掩模层都要按特定电路的要求进行专门设计
适用于要求得到最高速度、最低功耗和最省面积的芯片设计
版图设计时采用人工设计,对每个器件进行优化,芯片性能获得最佳,芯片尺寸最小
设计周期长,设计成本高,适用于性能要求极高或批量很大的产品,模拟电路;二、半定制方法;门阵列是指在一个芯片上把形状和尺寸完全相同的单元排列成阵列,每个单元内部含有若干器件,单元之间留有高度固定的布线通道。
门海设计技术是把由一对不共栅的P管和N管组成的基本单元铺满整个芯片(除I/O区外),基本单元之间无氧化隔离区,布线通道不确定,宏单元连线在无用器件区上进行。
; 门阵列法设计流程图 ;门阵列方法的设计特点:设计周期短,设计成本低,适合设计适当规模、中等性能、要求设计时间短、数量相对较少的电路。
不足:设计灵活性较低;门利用率低;芯片面积浪费。
门海方法的设计特点:门利用率高,集成密度大,布线灵活,保证布线布通率。
不足:仍有布线通道,增加通道是单元高度的整数倍,布线通道下的晶体管不可用。
;
1)标准单元法
概念:从标准单元库中调用事先经过精心设计的逻辑单元,并排
列成行,行间留有可调整的布线通道,再按功能要求将各内部单
元以及输入/输出单元连接起来,形成所需的专用电路。
芯片布局:芯片中心是单元区,输入/输出单元和压焊块在芯片四
周,基本单元具有等高不等宽的结构,布线通道区没有宽度的限
制,利于实现优化布线。;SC法设计流程与门阵列法相似,但有若干基本的不同点:
(1) 在门阵列法中逻辑图是转换成门阵列所具有的单元或宏单元,而标准单元法则转换成标准单元库中所具有的标准单元。
(2) 门阵列设计时首先要选定某一种门复杂度的基片,因而门阵列的布局和布线是在最大的门数目、最大的压焊块数目、布线通道的间距都确定的前提下进行的。标准单元法则不同,它的单元数、压焊块数取决于具体设计的要求,而且布线通道的间距是可变的,当布线发生困难时,通道间距可以随时加大,因而布局和布线是在一种不太受约束的条件下进行的。
(3) 门阵列设计时只需要定制部分掩膜版,而标准单元设计后需要定制所有的各层掩膜版。;与门阵列法相比,标准单元法有明显的优点:
(1) 芯片面积的利
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