模拟电路路 第1章 常用半导体器件.pptx

2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;4、本征半导体中载流子的浓度;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;PN 结的电流方程及伏安特性;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;三、二极管的主要参数;2015年12月7日星期一;【例1.2.1】分别估算开关 断开与闭合时输出电压的 数值。二极管导通电压约 为0.7V。;2015年12月7日星期一;交、直流电压源同时 电路的波形分析 作用的二极管电路;2015年12月7日星期一;例题：已知稳压管的稳定电压Uz=6V，最小稳定电流Izmin=5mA，最大稳定电流Izmax=25mA，负载电阻=600?。求限流电阻R的取值范围。;其他类型二极管;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;c-e间反向击穿电压;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;2015年12月7日星期一;光电三极管;晶体管;例题2：在一个单管放大电路中，电源电压为30V，已知三只管子的参数如下表所示。请选用一只管子，并说明理由。; §1.4 场效应管;一. 结型场效应管;工作原理-以N沟道为例;2. 当uGS为0~UGS(off) 中某一固定值时, uDS对漏极电流iD的影响; 1). 若 uDS = 0 ，虽然有导电沟道的存在， 但iD = 0 。 2). 若uDS 0 ，则有电流从漏极流向源 极，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟 道变窄，如图（a）所示。只要栅漏之间不出现夹断，沟道电阻仍将基本决定于栅源电压，因此， iD将随 uDS 的增大而线性增大，d-s呈现电阻特性。 3). 当uDS 增加到使uGD =UGS(off) 时，在紧靠漏极处出现预夹断，如图(b)所示。 4). 当 uDS继续增加，则 uGD UGS(off) ，漏极处的夹断继续向源极方向延长，如图（c）所示。在此区域， uDS 增大本应使 iD增大，但夹断区的延长阻止了iD 的增加。此时， iD几乎仅仅决定于uGS ，表现出 iD的恒流特性。;3. 当uGDUGS(off)时，uGS对iD的控制作用;由以上分析可知 (1) uGD = uGS ? uDS UGS(off); 即当uDS uGS ? UGS(off) (未出现夹断)时, 对应不同的，d-s间等效成不同阻值的电阻。 (2) 当uDS使 uGD = UGS(off)时， d-s间预夹断。 (3) 当uDS使 uGD UGS(off)时， iD仅决定于uGS ，而与uDS无关。;转移特性曲线：;二. 绝缘栅型场效应管;（2）工作原理; 定义： 开启电压（ UGS(th)）——刚刚产生沟道所需的 栅源电压UGS。; ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用;（3）特性曲线; ②转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const; 一个重要参数——跨导gm：; 2.N沟道耗尽型MOSFET;N沟道耗尽型MOSFET的特性曲线; 3、P沟道耗尽型MOSFET;4. MOS管的主要参数; 晶体管