电力电子技术---王旭光---第一章.ppt

电力电子技术; ;; 80年代则有了另一个功率器件：绝缘栅双极晶闸管（IGBT）。接着开发的是场控晶闸管（MCT）。 ;0.3电力电子技术的主要内容;0.4 电力电子技术的应用;第1章 电力电子器件;; ;1.1 单向导电器件;功率二极管的工作频率有很大的差别，使用时要根据工作频率合理选择。; ;晶闸管的外形和电路符号;晶闸管可以等效成2个三极管;;晶闸管的阳极特性曲线;1.2.3晶闸管的主要参数——电压参数;1.2.3 晶闸管的主要参数——电压参数;额定电压Ue定义如下：取UDRM和URRM中的较小者，去掉百位以下的数即为额定电压Ue。例如某晶闸管UDRM=832V；URRM=786V，则取较小者786V，然后去掉百位以下的数86，该晶闸管的额定电压为700V。;1.2.3晶闸管的主要参数——电流参数;1.2.3晶闸管的主要参数——电流参数;1.;1.2.3晶闸管的主要参数——动态参数;1.2.4 国产晶闸管的型号;1.3 全控器件;1.3.1可关断晶闸管GTO——外形与电路符号;1.3.1可关断晶闸管GTO——主要参数;1.3.1可关断晶闸管GTO——主要参数;1.3.2功率晶体管GTR——外形与电路符号;1.3.2功率晶体管GTR——开关过程;1.3.2功率晶体管GTR——极限参数;1.3.2功率晶体管GTR——SB和SOA;1.3.3 功率场效应管MOSFET——外型和电路符号;1.3.3功率场效应管MOSFET——结构;栅极不加电压的情况下，介于源极N型区域和漏极N型材料“凸”型部分上端的N型区域之间的P型材料的两侧形成两个P-N结，由于其阻挡作用无论源漏之间的电压方向如何都会有一个P-N结反偏，不可能有电流通过，器件处于阻断状态。 如果栅极加正电压，由于电场的作用，栅极下面P型材料中的多数载流子空穴被排斥，向下运动，同时栅极的正电压又把P型材料中的少数载流子电子吸引到P型材料的上部，这样“小岛”和“凸”型上部之间的P型材料中就形成一段反型层，并把两侧的N型区连接起来，消除了P-N结的阻挡作用。通常漏极接电源正，源极接电源负，电流可以从漏极的N区通过P区的反型层到达源极的N区，器件导通。栅极施加的正电压越高，反型层越深，漏源之间的电流就越大。 ;1.3.3功率场效应管MOSFET——静态特性;1.3.3功率场效应管MOSFET——静态特性;1.3.3功率场效应管MOSFET——动态特性;1.3.3功率场效应管MOSFET——SOA;1.3.4绝缘栅双极型晶体管IGBT——外形与电路符号;1.3.4绝缘栅双极型晶体管IGBT——结构;1.3.4绝缘栅双极型晶体管IGBT——静态特性;1.3.4 绝缘栅双极型晶体管IGBT——静态特性;1.3.4绝缘栅双极型晶体管IGBT——动态特性;1.3.4绝缘栅双极型晶体管IGBT——动态特性;1.3.4绝缘栅双极型晶体管IGBT——SOA;1.4 新型电力电子器件;1.4.1静电感应晶体管SIT;1.4.2静电感应晶闸管SITh;1.4.3 MOS控制晶闸管MCT;1.5 电力电子器件的驱动;1.5.1 晶闸管的驱动电路——门极特性;1.5.1 晶闸管的驱动电路——强触发;1.5.2 GTO的驱动电路——要求;1.5.2 GTO的驱动电路——驱动电路;1.5.3 GTR的驱动电路——要求;1.5.3 GTR的驱动电路——驱动电路;如果二极管参数相等，其导通压降均为UD，则UCE=UBE+UD，说明集电极电位高于基极电位，集电结反偏但数值较小，此时GTR处于准饱和状态。;1.5.4 场控器件的驱动电路;1.5.4 场控器件的驱动电路;1.5.4 场控器件的驱动电路;1.6.1 过电压的保护;1.6.1 过电压的保护;1.6.1 过电压的保护;1.6.1 过电压的保护;1.6.1 过电压的保护;1.6.1 过电压的保护;1.6.2 过电流的保护;1.6.3 MOSFET的栅极保护;1.7 电力电子器件的缓冲电路;1.7.1 晶闸管的缓冲电路;1.7.2 全控器件的缓冲电路;1.7.2 全控器件的缓冲电路;1.7.2 全控器件的缓??电路