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PAGE  PAGE 39 第1章 自测题 一、填空题： 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，定域的杂质离子带 正 电。 2、双极型三极管内部有 基 区、 发射 区和 集电 区，有 发射 结和 集电 结及向外引出的三个铝电极。 3、因PN结具有 单向导电 性，当PN结正向偏置时，内、外电场方向 相反 ，PN结反向偏置时，其内、外电场方向 相同 。 4、二极管的伏安特性曲线可划分为四个区，分别是 死 区、 正向导通 区、 反向截止 区和 反向击穿 区。 5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的 R×1k 档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的 阴 极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 阳 极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被 击穿 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 老化不通 。 6、BJT中，由于两种载流子同时参与导电因之称为双极型三极管，属于 电流 控制型器件；FET中，由于只有多子一种载流子参与导电而称为单极型三极管，属于 电压 控制型器件。 7、当温度升高时，二极管的正向电压 减小 ，反向电压 增大 。 8、稳压二极管正常工作应在 反向击穿 区；发光二极管正常工作应在 正向导通 区；光电二极管正常工作应在 反向截止 区。 9、晶闸管有阳极、 阴 极和 门控 极三个电极。 10、晶闸管既有单向导电的 整流 作用，又有可以控制导通时间的作用。晶闸管正向导通的条件是 阳极加正电压时，门控极也要有正向触发电压 ，关断的条件是 晶闸管反偏或电流小于维持电流 。 二、判断下列说法的正确与错误： 1、P型半导体中定域的杂质离子呈负电，说明P型半导体带负电.。 （ 错 ） 2、双极型三极管和场效应管一样，都是两种载流子同时参与导电。 （ 错 ） 3、用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档R×10k档位。 （ 错 ） 4、温度升高时，本征半导体内自由电子和空穴数目都增多，且增量相等。（ 对 ） 5、无论任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 （ 错 ） 6、只要在二极管两端加正向电压，二极管就一定会导通。 （ 错 ） 7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿而造成永久损坏。 （ 错 ） 8、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可改变成P型半导体。 （ 对 ） 9、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。 （ 错 ） 10、晶闸管门极上加正向触发电压，晶闸管就会导通。 （ 错 ） 三、单项选择题： 1、单极型半导体器件是（ C ）。 A、二极管 B、双极型三极管 C、场效应管 D、稳压管 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。 A、三价 B、四价 C、五价 D、六价 3、在掺杂半导体中，多子的深度主要取决于（ B ）。 A、温度 B、掺杂浓度 C、掺杂工艺 D、晶体缺陷 4、稳压二极管正常工作区是（ D ）。 A、死区 B、正向导通区 C、反向截止区 D、反向击穿区 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。 A、多子扩散 B、少子扩散 C、多子漂移 D、少子漂移 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（ A ）。 A、放大区 B、饱和区 C、截止区 D、反向击穿区 7、绝缘栅型场效应管的输入电流（ C ）。 A、较大 B、较小 C、为零 D、无法判断 8、当PN结未加外部电压时，扩散电流（ C ）漂移电流。 A、大于 B、小于 C、等于 D、负于 9、三极管超过（ C ）所示极限参数时，必定被损坏。 A、集电极最大允许电流ICM B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO C、集电极最大允许耗散功率PCM D、管子的电流放大倍数 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ B ） A、发射结正偏、集电结正偏 B、发射结反偏、集电结反偏 C、发射