电工学简明教程秦曾煌10基本放大电路.ppt

第 10 章 基本放大电路;第 10 章　基本放大电路;10.1　共发射极放大电路的组成;C1;10.2　共发射极放大电路的分析;RC;2．用图解法确定静态值;0;　　[例 2]　在共发射极基本交流放大电路中，已知 UCC = 12 V，RC = 4 k?， RB = 300 k?，晶体管的输出特性曲线如上图。(1)作出直流负载线，(2)求静态值。;0;10.2.2　动态分析;1．微变等效电路法;(1)晶体管的微变等效电路;低频小功率晶体管输入电阻的常用下式估算;?IB;UCE ;由以上分析可得出晶体管的简化微变等效电路。;(2)放大电路的微变等效电路;+ ube ? ;rbe ;　　当输入的是正弦信号时，各电压和电流都可用相量表示。;故放大电路的电压放大倍数;所以;　　如果放大电路的输入电阻较小：第一，将从信号源取用较大的电流，从而增加信号源的负担；第二，经过内阻 Rs 和 ri 的分压，使实际加到放大电路的输入电压 ui 减小，从而减小输出电压；第三，后级放大电路的输入电阻，就是前级放大电路的负载电阻，从而将会降低前级放大电路电压放大倍数。因此，通常希望放大电路的输入电阻能高一些。;(5)放大电路输出电阻的计算;*2．图解法;0;0;(2)电压和电流都含有直流分量和交流分量，即;;10.3　静态工作点的稳定;+UCC;　　因此，只要满足 I2 IB 和 VB UBE 两个条件， VB 和 IE或 IC 就与晶体管的参数几乎无关，不受温度变化的影响，使静态工作点能得以基本稳定。对硅管而言，在估算时一般可取 I2 = (5 ~ 10) IB 和 VB = (5 ~ 10)UBE 。;;(3);10.4　射极输出器10.4.1　静态分析;10.4.2　动态分析;2．输入电阻;　　例如，? = 40，rbe= 0.8 k?，RS = 50 ?， RB = 120 k?，由此得;可见射极输出器的输出电阻是很低的。;C1;后级静态值同例 10.3.1，即;输出电阻;*10.5　差分放大电路;什么是零点漂移？;　　在静态时，设 IB1= IB2 = IB， IC1= IC2 = IC，忽略阻值很小的 RP 可列出 ;10.5.2　动态分析;T1;双端输入 - 双端输出差分电路的差模电压放大倍数为;　　[例 1]　在前图所示的差分放大电路中，已知 UCC = 12 V， EE = 12 V，? = 50，RC = 10 k?，RE = 10 k?，RB = 20 k?， RP = 100 ?，并在输出端接负载电阻 RL = 20 k?，试求电路的静态值和差模电压放大倍数。;3．比较输入;10.6　互补对称放大电路;(2) 甲乙类工作状态;10.6.2　互补对称放大电路;iC2;2．无输出电容(OCL)的互补对称放大电路;*10.7　场效晶体管及其放大电路;P型硅衬底;　　当 UGS 大于一定数值时(UGS UGS(th) )，在栅极下 P 型半导体表面形成 N 型层，通常称它为反型层。这就是沟通源区和漏区的 N 型导电沟道(与 P 型衬底间被耗尽层绝缘)。UGS 正值越高，导电沟道越宽。;　　形成导电沟道后，在漏-源电压 UDS 的作用下，将产生漏极电流 ID ，管子导通。;N 沟道增强型绝缘栅场效晶体管的特性曲线;P 沟道增强型绝缘栅场效晶体管;*10.7.2　场效晶体管放大电路;S;　　[例 1]　在分压式偏置共源极放大电路中，已知 UDD = 20 V，RD = 5 k?，RS = 1.5 k?，RG1 = 100 k?，RG2 = 47 k?，RG = 2 M?，RL = 10 k?，gm = 2 mA/V，ID = 1.5 mA。试求：(1)静态值；(2)电压放大倍数。;　　下图是由场效晶体管构成的源极输出器，它和晶体管的射极输出器一样，具有电压放大倍数小于但近于 1，输入电阻高输出电阻低等特点。