第7章-外延.pptVIP

第七章 外 延;外延的基本概念;2 外延分类 ① 在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺称为正向外延。 ② 反之，在高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺则称为反向外延。 ③如果生长的外延层和衬底是同一种材料，这种工艺称为同质外延。 ④ 如果外延生长的薄膜材料与衬底材料不同，或者说生长的化学组分、甚至物理结构与衬底完全不同的外延层，相应工艺就叫异质外延。（晶格失配）;3 外延生长类型 根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为： ①气相外延（Vapor Phase Epitaxy -VPE） ②液相外延（Liquid Phase Epitaxy -LPE） ③固相外延（Solid Phase Epitaxy -SPE） 因为气相外延技术成熟，能很好的控制薄膜的厚度、杂质浓度和晶体的完整性，在硅工艺中一直占据主导地位。温度高。;4 发展状况 为提高双极晶体管的性能而发展。 近些年来，外延工艺被用到CMOS集成电路的工艺中。而做在外延层上的CMOS电路与做在硅的抛光片上相比有以下优点： ①避免了闩锁效应； ②避免硅层中SiOX的沉积； ③硅表面更光滑，损伤最小。 ;制作在外延层上的双阱CMOS器件的