第五章-非平衡载流子-朱俊-2014.ppt

非 平 衡 载 流 子;主要内容： （六个方面，8学时 ）;§5.1 非平衡载流子的注入与复合;一、非平衡载流子的产生 ;2．电注入（ PN结正向工作时）;对同块材料 ：;注意： ;● 注入的非平衡载流子浓度大于平衡时的多子浓 度，称为大注入。 ;二、非平衡时的附加电导 ;热平衡时： ;——附加电导率 ;三、非平衡载流子的复合;§5.2 非平衡载流子的寿命;2．非子的平均寿命? 的计算;(2) 取消光照 ;（3）．非子的平均寿命? ;当?t?0时，t时刻单位时间单位体积被复合掉的非子数 ，为：; C为积分常数 ;;非子的平均寿命： ;§5.3 准 费 米 能 级;二、非平衡态时的载流子浓度 ;2．准费米能级的位置 ;N型材料： ;N型;3．非平衡态的浓度积与 平衡态时的浓度积;ni2 ;§5.4 复 合 理 论;直接复合： ;按复合发生的位置分 ;二、非子的直接复合 ;当n=n0，p=p0时， ;单位时间、单位体积中产生的载流子，用G表示;非平衡态下的产生率;非子寿命;;∴ ;;Ec;电子由Ec→Et;;甲、乙两个过程的分析：;;;;式中包含电子俘获系数，反映了电子俘获 和发射过程的内在联系。;→浅能级杂质;对深能级的复合中心：;即复合过程的（丙）和（丁），只有被电子占据 的复合中心能级才能俘获空穴;同样类似有：;2．复合稳态时复合中心的电子浓度 ;3．间接复合的复合率u和寿命?;Note:; 热平衡时： ;在半导体注入非子后的非平衡态时: ;由此可得非平衡 载流子的寿命为：;寿命和复合中心浓度成反比。;非子的寿命为：;;对较重掺杂的n型 半导体，费米能EF 更接近EC ;掺杂较重的n型材料的非子的间接复合寿命决定于空穴的寿命 ，这是由于EF 远在Et 上，复合中心的能级基本被电子填满，即俘获电子的过程已完成，仅仅由满电子的中心对空穴的俘获决定寿命。;(b) 对轻掺杂的高阻半导体，EF 在Ei和Et’之间，根据各个能级之间的差别大小，所以有：;(2) p型材料;同样，类似有“高阻区”，EF 在Ei和E‘t之间;（4） 有效复合中心;若：;当;（5）、俘获截面;在复合率U的公式中，可用俘获截面来替代 rn和rp ;四、表面复合;：为样品表面处单位体积的载流子数(表面处的非子浓度1/cm3) ;2．影响表面复合的因素及寿命表示式 ;§5.5 陷 阱 效 应;对于 ;二、陷阱效应的分析 ;为陷阱上的非子浓度，即非平衡时电子的变化量。 ;△n 和△p 的影响是相互独立的，在上面的公式 中，电子和空穴的情形是对称的，所以就了解能 级对电子的积累就行。;2．陷阱上的电子对电导的间接贡献 ; 有电子陷阱后：以p型为例，少子为电子;三、有效陷阱效应;当：;即杂质能级和平衡时的费米能级重合时，最有有利于陷阱作用。 ;●当EtEF时，平衡时基本上空的，有利于陷阱的作用，但随Et的升高，即Ec-Et小，n1大，电子可以从Et 激发到Ec的几率增大，俘获变大，所以在费米能级之上但接近费米能级的杂质能级的陷阱效应最明显； ;所以，只有no是少子，有效的陷阱是对少子陷阱 ;四、饱和陷阱;要达到饱和： ; ● n很大，可以忽略n1 ;t;§5.6 载 流 子 的 扩 散 运 动;一、扩散定律和稳态扩散方程 ;;在x=x处，取截面A，x=x+?x处取截面B，两截面垂直于x轴，并且都为单位面积1cm2 ; 在x+?x处，流密度为Sp(x+?x) ;单位时间单位体积被复合掉的非子为 ：;在稳态时，积累的载流子应等于复合掉的载流子 ;3．典型样品的分析;x;↑;;∴ ;x;类似有，;4．非平衡载流子的扩散电流密度 ;;§5.7 载流子的漂移运动 与爱因斯坦关系;2．多子电子电流密度 ;?多子电流密度： ;二、爱 因 斯 坦 关 系 ;电子扩散电流密度： ;考虑附加的静电势，导带底的能量应为: Ec-qV(x) ;;对于空穴： ;利用爱因斯坦关系，可得总电流密度： ;1．在漂移运动和扩散运动同时存在时，少子电流连续性方程的一般形式: ;以N型半导体为例:;在单位时间中净留在单位体积中的空穴数为： ;电场也变化;(2) 其它因素的产生率gp;2．连续性方程的应用 ;●均匀电场： ;令：;通解为：;对很厚的样品： ;?A=0，;● 电 场 很 强 ;x;● 电 场 很 弱 ;(2) 光激发载流子的衰减（例子） ;●无 电 场：E=0 ;(3) 扩 散 方 程 ;一、非平衡载流子的产生、平均寿命、 平均扩散长度及浓度的计算 ;二、非平衡载流子的复合;（1）、小注入的N 型材料：;3.有效复