03.高介电容器瓷1.pptVIP

§3.1 概述 §3.2 电容器瓷的介电特性 §3.3 高频电容器瓷的主要原料 §3.4 中高压陶瓷电容器瓷;1、对电容器瓷的一般要求： ①、介电系数大，以制造小体积、重量轻的陶瓷电容器，ε↑→电容器体积↓→整机体积、重量↓ ②、介质损耗小，tgδ=（1~6）×10-4，保证回路的高Q值。高介电容器瓷工作在高频下时ω↑、tgδ↑ 。 ③、对I类瓷，介电系数的温度系数αε要系列化。对II类瓷，则用ε随温度的变化率表示（非线性）。; ;2、电容器瓷分类：; ;§3-2-1 高介电容器瓷的分类 §3-2-2 值不同的原因 §3-2-3 ε的对数混合法则 §3-2-4 产生高介电系数的原因 §3-2-5 含钛陶瓷的介质损耗; ; 有正、负、零，取决于不同温度下质点的极化程度，也决定于相应温度下单位体积的质点数。 a、? TiO2、CaTiO3 b、? CaSnO3、CaZrO3 c、? BaO·4TiO2 ;电介质的极化;+;离子位移极化; ; ; ;§3-2-3 ε的对数混合法则; 由以上法则，在生产实践中，可用具有不同εi、αi材料通过改变浓度比来获得满足各种温度系数要求的材料。 如：由αε0 +αε0的瓷料获得αε≈0的瓷料。;金红石型和钙钛矿型结构的陶瓷具有特殊的结构，离子位移极化后，产生强大的局部内电场，并进一步产生强烈的离子位移