01讲义2012模拟电子技术基础概念.ppt

电子技术;一、电子技术的发展;电子管、晶体管、集成电路比较;半导体元器件的发展;广播通信：发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、 电话、手机 网络：路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器 工业：钢铁、石油化工、机加工、数控机床 交通：飞机、火车、轮船、汽车 军事：雷达、电子导航 航空航天：卫星定位、监测 医学：γ刀、CT、B超、微创手术 消费类电子：家电（空调、冰箱、电视、音响、摄像机、 照相机、电子表）、电子玩具、各类报警器、保安系统;三、模拟信号与模拟电路;;★模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。 ★最基本的处理是对信号的放大，有功能和性能各异的放大电路。 ★其它模拟电路多以放大电路为基础。;四、电子信息系统的组成;五、《模拟电子技术基础》课的特点 ; ★常用电子仪器的使用方法 ★电子电路的测试方法 ★故障的判断与排除方法 ★ EDA软件的应用方法;六、如何学习这门课程;　　 ★根据需求，最适用的电路才是最好的电路。 　　 ★要研究利弊关系，通常“有一利必有一弊”。;课时安排： 理学院：理论课：60学时 实 验：4学时 实验班：理论课：56学时 实 验：8学时 ;体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小和功率转换效率高 ;☆ 1.1 半导体基础知识 ☆ 1.2 半导体二极管 ☆ 1.3 双极性晶体管 ☆ 1.4 场效应管 ☆ 1.5 晶闸管; ☆半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体，;热敏性：半导体受热时，其导电能力增强。;?? ●本征半导体——纯净、结构完整的半导体。; ●本征激发——在室温下，少数价电子因热激发而获得足够的能量，因而脱离共价键的束缚成为自由电子。同时在原来的共价键中留下一个空位，称为“孔穴”。它们两个统称为载流子。; ●复合——自由电子与空穴在热运动中相遇，使两者同时消失的现象。; ●载流子的动态平衡： 在一定温度下，单位时间内本征激发所产生的自由电子-空穴对的数目与复合而消失的自由电子-空穴对的数目相等，就达到了载流子的动态平衡状态，使本征半导体中载流子的浓度一定。; ●本征半导体内载流子的浓度;自由电子在电场的作用下定向移动形成电子电流。; ; 本征半导体的导电能力是很弱的，如果在本征半导体中掺入微量的其它元素就会使半导体的导电性能发生显著变化。 ;N型半导体;;;P型半导体： 电子为少数载流子，孔穴为多数载流子的杂质半导体称为P型半导体。 ;2、半导体的电流基本上是多子的电流。;4、杂质半导体呈电中性。 ★在N型半导体中： 自由电子数（掺杂+热激发）=正离子数+空穴数（热激发） ★在P型半导体中： 空穴数（掺杂+热激发）=负离子数 +自由电子数（热激发）;载流子存在浓度差;; PN结中的扩散电流等于漂移电流，并且两者方向相反。PN结中的电流为零。;; 工作原理——在外加电场的作用下，多子被推向耗尽层，结果耗尽层变窄，内电场被削弱，这有利于多子的扩散而不利于少子的漂移。多子的扩散电流通过回路形成正向电流。PN结导通时的结压降一般只有零点几伏，所以不大的正向电压就可以产生相当大的正向电流。通常在回路中串入一个电阻用以限制电流。 ;;; PN结加正向电压时形成较大的正向电流；PN 结处于 导通状态 加反向电压时，反向电流很小。 PN 结处于截止状态。 PN结的这种特性称为单向导电性。;正向特性 ; PN结处于反向偏置时，在一定范围的反向电压作用下，流过PN结的电流是很小的反向饱和电流；;◆齐纳击穿——在高浓度掺杂的情况下，耗尽层的宽度很小，不太大的反向电压（一般为几伏）就可以在耗尽层中形成很强的电场，它能够直接破坏共价键，把价电子从共价键中“拉出来”，产生电子、孔穴对，引起电流急剧增加。 ; 对硅材料而言：反向击穿电压在7V以上的为雪崩击穿；4V以下的为齐纳击穿；4V~7V间的击穿包括两种击穿。 无论是哪种击穿，只要PN结不因电流过大产生过热而损坏，当反向电压下降到击穿电压以下（均指绝对值）时，它的性能又可以恢复到击穿前的情况。条件为：反向电压和反向电流的乘积不超过PN结容许的耗散功率。热击穿是尽量避免的，电击穿可以加以利用。 ;势垒电容;扩散电容; ★PN结正向偏置时，PN结等效电阻较小，结电容较大；反向偏置时，等效电阻较大，结电容较小。;1、N型半导体带负电，P型半导体带正电。这种说法是否正确？;1.2 半导体二极管;1、按照所用的半导体材料：可分为锗管和硅管。 2、根据其不同用途：可分