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其他显微分析方法;俄歇电子能谱仪（AES）;俄歇电子能谱仪（AES）;俄歇电子能谱仪（AES）;俄歇电子能谱仪（AES）;俄歇电子能谱仪（AES）;俄歇电子能谱仪（AES）;俄歇电子能谱仪（AES）;双重峰极小值处的能量代表Auger电子特征能量 　 极大值和极小值差代表Auger电子计数 从俄歇峰的能量可进行元素定性分析，根据峰高度可进行半定量和定量分析。 ;俄歇电子能谱仪（AES）;俄歇电子能谱仪（AES）;X射线光电子能谱仪（XPS） ;X射线光电子能谱仪（XPS） ;X射线光电子能谱仪（XPS） ;X射线光电子能谱仪（XPS） ;X射线光电子能谱仪（XPS） ;原子力显微镜（AFM） ;原子力显微镜（AFM） ;原子力显微镜（AFM） ;原子力显微镜（AFM） ;原子力显微镜（AFM） ;原子力显微镜（AFM） ; ;*;*;*;*;*;;低能电子衍射仪：从电子枪发出的电子束，经过3级聚焦杯的聚焦和准直作用，入射到样品表面。入射电子束的束斑直径约0.4~1mm，发散度约1°。样品处于半球形接受极的中心。在样品与接受极之间有4个半球形栅极。栅极G1与样品均接地，保证从样品表面发出的衍射电子在无场空间沿着原有方向运动；G2和G3相联并施加高于阴极的负电位，排斥来自样品的非弹性散射电子，只允许弹性散射电子穿过G2,打到加正高压的荧光屏上从而在荧光屏上产生肉眼可见的低能电子衍射图。栅极G4接地，它对接受极起屏蔽用，减少G3与接受极间的电容。半球形接受极涂有荧光粉，加有5~7kV 的正电压，加速衍射电子穿过栅极.;低能电子衍射原理;*;低能电子衍射分析与应用;反射式高能电子衍射(RHEED)简介;反射式高能电子衍射的应用;场离子显微镜(FIM) 与原子探针(AP) ;FIM场离子显微镜的结构与原理;工作时： 将容器抽真空（1.33×10-6Pa）。 通入压力约 1.33×10-1Pa的成象气体（惰性气体氦等）。 样品加上足够高的电压时，气体原子发生极化和电离，荧光屏上即可显示尖端表层的清晰图像。 图中每个亮点都是单原子的像 ;——场致电离和原子成像;极化电子被电场加速并撞击样品表面，由于样品处于深低温，所以气体原子在表面经历若干次弹跳的过程中也将被冷却而逐步丧失其能量。 在样品表面经多次撞击后的气体分子陷入??部能量增高区中时，其外部电子能量通过隧道效应穿过样品表面的位垒区进入样品内部。气体原子将发生场致电离变成正离子。此时成象气体的正离子受电场的作用射向阴极荧光屏。 荧光屏上的发亮点实际上是与样品表面的突出原子对应。;图像的解释举例;场离子显微镜的应用; 晶界缺陷 界面原子结构的研究是场离子显微镜应用最早的。图像可以清晰地显示界面两侧原子的排列和位向的关系。 合金或两相系 为了在原子分辨的水平上研究沉淀或有序转变过程，必须区分不同元素的原子类型。用场离子显微镜上的原子探针可进行分析。 ;不足之处：; 原子探针 （Atom Probe） 场致蒸发的另一应用是所谓“原子探针”，可以用来鉴定样品表面单个原子的元素类别。 首先，在低于Ee的成像条件下获得样品表面的场离子图像。; 当样品被加上一个高于蒸发场强的脉冲高压时，该原子的离子可被蒸发而穿过小孔到达飞行管道的终端而被高灵敏度的离子检测器所检测。; 离子的价数为n，质量为M，则其动能为： 其中U为脉冲高压。 离子的飞行速度取决于离子的质量，如果测得其飞行时间，而样品到检测器的距离为S（通常长达1~2m），则有： 可以计算离子的质量M，从而达到原子分辨水平的化学成分分析的目的。;原子探针应用－质谱图;Ｘ射线荧光光谱仪 （X-ray Fluorescence Spectrometer ）;工作原理;XRF分析的基本过程;XRF分析的基本过程;主要性能指标 ;聚焦离子束(Focused Ion Beam );原理; 1.表面形貌分析 　 2.精确定位剖面观察 　 3.集成电路芯片修补 　 4.透射电镜制样 5.透射电镜制样;激光共聚焦显微镜; 绝大部分物镜焦平面上面或下面点发射的荧光不能会聚到小孔，所以离焦荧光只有一小部分能够通过小孔，大多数的离焦光线不能被PMT检测，不会影响最终的图像质量。分光镜、吸收滤光镜和激发滤光镜在此系统中执行着与传统场式反射荧光显微镜中同样的功能，在共聚焦显微镜中改变物镜焦平面就是将激光激发和荧光点转移到新的平面，新的平面同样与光源和检测器的小孔光阑共轭。 扫描单元在共聚焦系统中扮演着心脏的角色，担负着编排激发光线扫描并同时获取标本发射光子的任务，并组合成最相遇