- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
2-2二极管应用_三极管
§2.2-7 二极管的应用
整流电路(rectification)
将交流电压变为直流电压
正弦波的正半周通过
偏移电压:U1-U2=UD
正弦波的负半周截止
半波整流;§2.2-7 二极管的应用
整形电路
削波(限幅)电路
防止输出电压超过给定值
;§2.2-7 二极管的应用
二极管稳压器
稳压管(zener)工作在反向击穿区
主要参数:
稳定电压UZ:反向击穿电压UBR
稳定电流IZ:稳压工作时的最小电流
额定功率PZ:稳定电压UZ与最大稳定电流IZMAX的乘积
动态电阻rZ:工作在稳压区时dU/dI
温度系数a: 温度变化造成稳压值的变化 dUZ/dT
稳压管的稳定电流IZ应大于IZMIN,小于IZMAX
选择合适的限流电阻;双极型晶体管(晶体三极管、半导体三极管);§2.3-1 晶体管的结构
两个PN结、三个电极
平面型(NPN)、合金型(PNP);§2.3-2 晶体管电流放大作用
晶体管内部载流子的运动(NPN共发射极为例)
发射区高搀杂、基区薄、外加电压
发射过程:发射结正偏压,形成发射极电流IE
复合和扩散过程:电子向集电结扩散,与基区空穴复合形成基极电流IB
收集过程:集电结反偏压,形成集电极电流IC和反向截止电流ICBO;§2.3-2 晶体管电流放大作用
晶体管的电流分配关系(共发射极)
IE=IEN+IEP=ICN+IBN+IEP
IC=ICN+ICBO
IB=IBN+IEP-ICBO
IE=IC+IB
共射电流放大系数:
hFE=ICN/(IBN+IEP)
=(IC-ICBO)/(IB+ICBO)
由于:IcIBICBO
;§2.3-2 晶体管电流放大作用
晶体管的电流分配关系(共基极)
IE=IEN+IEP=ICN+IBN+IEP
IC=ICN+ICBO
IB=IBN+IEP-ICBO
IE=IC+IB
共基电流放大系数:
hFB=ICN/IE
=(IC-ICBO)/IE
由于:ICICBO
;§2.3-3 晶体管共射特性曲线
输入特性曲线
UCE一定,基极电流IB与发射结电压 UBE之间的函数关系
UCE=0时,基极与发射极间相当于两个PN结并联;§2.3-3 晶体管共射特性曲线
输出特性曲线
IB一定,集电极电流IC与管压降UCE之间的函数关系
每一个确定的IB对应一条输出曲线
UCE从小逐渐增大,集电结电场增强,IC增大;
UCE再增大,IC基本不变
截止区(UBE UON)
IB=0曲线的以下部分,发射结与集电结均截止
IC≈0
放大区( UBE UON 且UCE UBE???
发射结正向偏置,集电结反向偏置
IC=hFE*IB
饱和区( UBE UON 且UCE UBE )
发射结与集电结均正向偏置,IC与IB、UCE有较大关系 ;§2.3-4 晶体管的主要参数
直流参数
共射直流电流放大系数:hFE=IC/IB
共基直流电流放大系数:hFB=IC/IE
极间反向电流:ICBO、ICEO
交流参数
共射交流电流放大系数:hfe= IC/ IB
共基交流电流放大系数:hfb= IC/ IE
特征频率:fT,|hfe|下降到1的信号频率
极限参数
最大集电极耗散功率:PCM=IC*UCE
最大集电极电流:ICM
极间反向击穿电压:UCEO、UCBO、UEBO;习题:
P61 2-6
P62 2-9
P64 2-14
文档评论(0)