2012_半导体物理_9_半导体发光-2014-06-04.ppt

第9章 半导体的光学性质和光电 与发光现象 ;半导体物理学 第7章 金属和半导体的接触 SCNU 光电学院;半导体的光学常数;半导体的光学常数;半导体的消光系数;半导体的吸收系数;复折射率实部和虚部的关系;反射系数和透射系数;半导体材料能够强烈地吸收光能，具有数量级为105 cm-1的吸收系数。 吸收导致电子从低能级跃迁到高能级。 对于半导体，自由电子和束缚电子吸收都很重要。 价带电子跃迁是半导体中最重要的吸收过程。 电子从低能带跃迁到高能带的吸收相当于原子中的电子从低能级到高能级的吸收。 原子中的能级是不连续的，电子跃迁只能吸收一定能量的光子，出现的是分立的吸收线。 半导体中电子的跃迁发生在能带之间，表现的是连续的吸收带。 ;半导体的光吸收;半导体的光吸收：直接和间接跃迁;半导体的光吸收：动量和能量守恒;在本征吸收中产生的电子和空穴是自由的，它们之间没有相互作用。 实验发现，低温下的半导体在本征连续吸收光谱出现以前就已经出现一系列吸收线，对应于激子吸收。 激子是带正电的空穴和带负电的电子通过库伦相互作用形成的。 激子作为整体呈电中性，可以在整个晶体中运动，不形成电流。 激子可以电离成自由电子和空穴，也可湮灭产生光子。 激子可以采用类氢原子模型来描述，具有一定的束缚能。