2014-AlGaN-GaN异质结构场效应晶体管的I-V特性研究 - 修改版.doc

 PAGE \* MERGEFORMAT 18 学号：14101601173毕业设计（论文）题 目：AlGaN-GaN异质结场效应晶体管的I-V特性研究作 者彭坤届 别2014学 院物理与电子学院专 业电子科学与技术指导老师文于华职 称讲师完成时间2014.05 摘要 GaN基电子器件最重要的代表之一是AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，这是因为它具有高饱和电流、比较高的跨导和较高的截止频率与很高的击穿电压等独特的物理性质。该论文正是以AlGaN/GaN异质结的基本物理特性作为研究基础来研究AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管的I-V特性。在考虑到AlGaN/GaN异质结中的自发极化与压电极化效应的物理现象基础上，采用二维物理分析模型计算AlGaN/GaN HEMT 器件的I-V特性，得到了较满意的结果。 关键词：AlGaN/GaN;I-V特性;场效应晶体管,截止频率。